Bipolyar tranzistorların qoşulma sxemləri və statik xarakteristikaları

 Bipolyar tranzistorların qoşulma sxemləri və statik xarakteristikaları

Elektrik dövrəsində tranzistor adətən elə qoşulur ki onun elektrodlarından biri giriş, ikincisi çıxış elektrodu, üçüncüsü isə giriş və çıxış dövrələri üçün ümumi elektrod olur. Giriş elektrodunun dövrəsinə dəyişən siqnal mənbəi} çıxış elektrodunun dövrəsinə isə yük müqaviməti qoşulur. Hansı elektrodun giriş və çıxış dövrələri üçün ümumi olmasından asılı olaraq tranzistorun üç qoşulma sxemi mövcuddur: ümumi baza ilə qoşulma, ümumi emitterlə qoşulma, ümumi kollektorla qoşulma (şəkil 6.4). Hər bir qoşulma sxemi iki statik xarakteristikalar ailəsi ilə xarakterizə olunur.

Çıxış statik xarakteristikaları ümumi emitterli sxemə uyğundur, yalnız kollektor cərəyanını emitter cərəyanı ilə əvəz etmək lazımdır. Giriş xarakteristikaları da ümumi emitterli sxemdəkilə eynidirlər, lakin onlar giriş gərginliyi rolunu oynayan kollektor keçidindəki gərginliyin qiyməti qədər sağ tərəfə sürüşdürülürlər. Sxemin keçid və tezlik xüsusiyyətləri ümumi emitterli sxemə uyğundur.

Sxem cərəyana və gücə görə gücləndirmə verir, gərginliyə görə isə gücləndrmə vermir, çünki çıxış gərginliyinin dəyişən toplananı giriş gərginliyinin dəyişən toplananından həmişə az olur. Sxemin cərəyana görə ötürmə əmsalı Je/Jb-dır. Bu sxemə bəzən emitter təkrarlayıjısı da deyilir və onun xüsusiyyətləri gələcək bölmələrin birində təfsilatilə veriləcəkdir.

n-p-n tipli tranzistorlarm uyğun qoşulma sxemlərində gərginlik mənbələrinin işarələri hər yerdə əksinə dəyişdirilməlidir.

Elektronika- R. Hümbətov

Ardını oxu

Paylaş:    Facebook Twitter Google+ Stumble Digg

Tranzistorun iş prinsipi

 Tranzistorun iş prinsipi

Tranzistorun iş prinsipini p-n-p tipli cihazın misalında öyrənək. Xarici gərginlik mənbəyi olmayanda yükdaşıyıcılarının konsentrasiyasının və həcmi yüklərin yaratdığı potensial fərqinin paylanması şəkil 6.2-də göstərilmişdir.

Elektronika- R.Hümbətov

Ardını oxu

Paylaş:    Facebook Twitter Google+ Stumble Digg

Bipolyar tranzistorlar

 Bipolyar tranzistorlar

İki p-n keçidə malik olan və üç qatlı yarımkeçirici strukturdan ibarət cihaza bipolyar tranzistorlar deyilir. Qatların bir-birinin ardınca yerləşməsi ardıcıllığından asılı olaraq onların iki növü p-n-p (şəkil 6.1a) və n-p-n (şəkil 6.1 b) olur. Bu cür tranzistorlar əritmə və ya diffuziya üsulu ilə yuxarıda izah edilən texnologiya əsasında əsasən silisiumdan və germaniumdan hazırlanır. "Bipolyar" sözü cihazda cərəyanın hər iki işarəli yük- daşıyıcıların (elektron və deşik) hərəkəti nəticəsində yaranması ilə əlaqədardır. Yarımkeçirici strukturda əsas (baza) rolunu orta qat oynayır. 

Kənar qatlar donor və ya akseptor aşqarlarının diffuziyası (və ya əridilməsi) yolu ilə yaradılır. Bu qatların biri emitter, digəri isə kollektor adlanır. Müvafiq keçidlər də həmin adları daşıyır. Emitter keçidi yük daşıyıcıları bazaya injeksiya edir, kollektor keçidi isə bazadan keçib gedən yükdaşıyıcıları yığır (ekstraksiya edir). Emitterin injeksiya etdiyi bazadan keçən daşıyıcıların hamısını yığmaq üçün kollektor keçidinin sahəsi emitter keçidinin sahəsindən çox olur (şəkil 6.1c).

Elektronika- R. Hümbətov

Ardını oxu

Paylaş:    Facebook Twitter Google+ Stumble Digg

Şottki diodlar

 Şottki diodlar

Şottki diodları fərqləndirən cəhət odur ki, onların keçidlərində qeyri-əsas yükdaşıyıcılarm injeksiyası olmur və bu diodlar əsas yükdaşıyıcıları ilə işləyirlər. Belə keçid metalın n tipli yarımkeçirici ilə təmasından yarana bilər. Şottki keçidində yük daşıyıcılarının yığılması və sorulması ilə əlaqədar olan diffuziya tutumu olmur, bu isə diodun düz istiqamətdən əksə qoşulma sürətini azaldır. Belə qoşulmanın müddəti yalnız sədd tutumu ilə müəyyən edilir və kiçik sahəli diodlar üçün nano saniyənin onda biri-yüzdə biri həddində olur. Uyğun olaraq diodlarm işçi tezliyi 3-15 Qhs sər- həddində olur. Açıq Şottki keçidində gərginlik düşgüsü r-n keçidinə nisbətən kiçik olur. Bunun səbəbi odur ki, böyük müqavimətli təmasdan hətta kiçik ilkin cərəyan axanda da ayrılan istilik enerjisinin təsirindən əlavə termoelektron emissiyası baş verir və düzünə cərəyanda iştirak edən yük- daşıyıcılarm sayı artır.

Şəkil 5.7a-da vakuumda yerləşdirilmiş və bir-birindən izolə edilmiş metal və n tipli yarımkeçiricinin zona diaqramları göstərilmişdir. Elektrona metaldan vakuuma çıxmaq üçünqədər, yarımkeçiricidən vakuuma çıxmaq üçün isəqədər enerji vermək lazımdır. Əgər metalın çıxış işi ya- rımkeçiricininkindən çox olarsa, təmas yarananda elektronların yarımkeçiricidən metala axını üstünlük təşkil edəcəkdir. Nəticədə metal mənfi, yarımkeçirici müsbət yüklənəcək və təmas sərhədində onların arasında təmas potensial fərqi yaranacaqdır. Elektronların istiqamətlənmiş hərəkəti (axını) Fermi səviyyələri bərabərlə şənə kimi davam edəcəkdir (şəkil 5.7 b). Elektronların təmasyanı sahədən getməsi nəticəsində yarımkeçiricinin bu sahəsində tükənmə baş venir və onun müqaviməti çoxalır. Yarımkeçiricidə fəza yükü sahəsinin eni bir neçə mikrometr, metalda isə 10'4mkm-dən az olduğuna görə təmasyanı sahədə yarımkeçiricinin enerji zonaları yuxarıya əyilir. Elektron əmələ gəlmiş səddi dəf etmək və bir maddədən digərinə keçmək üçün Fermi səviyyəsinin enerjisindən əlavəenerjisinə malik olmalıdır. Ya- rımkeçiricinin kasıblaşmış təmasyanı qatı təmasdan cərəyan axmasına mane olur və sərhəddi bağlayıcı rol oynayır. Bu halda xarici gərginlik daxili sahə ilə eyni istiqamətdə olarsa, həcmi yük sahəsinin eni çoxalır. Xarici gərginlik əks istiqamətdə olanda isə bu sahənin eni azalır. Beləliklə, tükənmiş qat yarananda metalın yarımkeçirici ilə təması düzləndirici xüsusiyyətə malik olur və belə təmasın xarakteristikası adi p-n keçidin xarakteristikasına uyğun olur.

Əgər metalın çıxış işi yarımkeçiricidən az olarsa elektronlar əsasən metaldan yarımkeçiriciyə axacaqlar və zonaların əyilməsi əks istiqamətdə olacaqdır (şəkil 5.7c). Təmasyanı qat daşıyıcılarla zənginləşir, yarımkeçiricidə elektronların konsentrasiyası çoxalır və onun müqaviməti azalır. Bu müqavimət gərginliyin işarəsindən asılı olmayaraq həmişə kiçik olur. Ona görə belə təmaslar düzləndirmə xüsusiyyətlərinə malik olmur və onlar omik keçidlər və mikro sxemlərin elementlərini xarici dövrəyə birləşdirmək üçün istifadə edilir. Şottki diodlarmm xüsusiyyətlərindən biri də odur ki, onların volt-amper xarakteristikası eksponensial xarakter daşıyır.

Bu diodları presizion (dəqiq) loqarifmləyici elementlər kimi 

olduğuna görə istifadə etməyə imkan verir.

Şottki sədləri silisium ilə molibden, nixrom, qızıl, alüminium və başqa metallarda təmas yaradılanda almır. Açıq keçiddə gərginlik düşgüsünün kiçik olması və iti sürətli qoşulmanın mümkünlüyü belə keçiddə qurulmuş cihazları rəqəm sxem texnikasında, məntiq elementlərində istifadə etməyə imkan verir.

Elektronika- Hümbətov. R

Ardını oxu

Paylaş:    Facebook Twitter Google+ Stumble Digg

Varikaplar

 Varikaplar

Xüsusi konstruksiyaya malik olan və dəyişən tutumlu kondensatorlar kimi istifadə edilən yarımkeçirici diodlara varikap deyilir. 

Varikapm iş prinsipi elektrik keçidinin tutumunun tətbiq edilən gərginlikdən asılılığına əsaslanır. Varikapm tutumu p-n keçidinin tutumu ilə xarakterizə olunur. Məlumdur ki, keçidin həcmi yükü gərginlikdən asılı olaraq dəyişir. Ona görə müstəvi p-n keçidinin yükləri sayca bərabər, işarəcə əks olan iki keçirici səthdən ibarət sistem kimi, başqa sözlə, müstəvi kondensator kimi təsəvvür etmək olar. Keçidin həcmi yükünün dəyişməsinin bu dəyşməni əmələ gətirən gərginliyin dəyişməsinə nisbətən keçidin sədd (yük) tutumu deyilir:

Elektronika- R.Hümbətov

Ardını oxu

Paylaş:    Facebook Twitter Google+ Stumble Digg

Tunel diodları

 Tunel diodları

Tunel diodlarmm iş prinsipi elektron-deşik keçidində baş verən tunel effektinə əsaslanır. Tunel effekti cihazın voltamper xarakteristikasında düzünə qoşulma halında əks müqavimətli hissənin yaranmasına gətirib çıxarır (şəkil 5.4ç 12 hissəsi). Şəkil 5.4a-da tunel diodunun p-n keçidin xarici gərginlik olmadığı hal üçün enerji diaqramı göstərilmişdir. Tunel effekti əsasında qonşu qata keçə bilən elektronlar oxlarla işarə olunmuşdur. Görünür ki, p qatının valent zonası və n qatının keçiricilik zonası üst-üstə düşdüyündən bu zonaların elektronları eyni enerji səviyyələrində olurlar. Fermi səviyyəsi müvafiq icazə verilmiş zonalar həddində olur. Bu səviyyədən yüksək enerjiyə malik olan elektronların sayı çox olmur. Xarici gərginlik olmayanda qarşılıqlı "sivişən" elektron axınları bərabər, dioddan keçən cərəyan isə sıfra bərabər olur.

Elektronika- R. Hümbətov

Ardını oxu

Paylaş:    Facebook Twitter Google+ Stumble Digg

Stabilitronlar- Zener diodları

 Stabilitronlar- Zener diodları

Stabilitronlar elektrik sxemlərində gərginliyi stabilləşdirmək üçün istifadə olunur. Onların volt-amper xarakteristikasının deşilmə hissəsində gərginliyin qiyməti cərəyandan zəif asılı olur. Bu cihazların xarakteristikalarının işçi hissəsi əks qoşulma rejiminə uyğun gələn əks qoldur (şəkil 5.3).

Ardını oxu

Paylaş:    Facebook Twitter Google+ Stumble Digg

İmpuls diodları

 İmpuls diodları

Bu diodlar qoşulma müddəti bir mikrosaniyədən kiçik olan itisürətli impuls sxemlərində istifadə olunur. Belə iş rejimini təmin etmək üçün diodlar bəzi konstruktiv-texnoloji xüsusiyyətlərə malik olmalıdır. Diodlarm ətalətliyi sədd tutumu və yük daşıyıcıların keçid yaxınlığında yığılan yükü ilə müəyyən edilir. İmpuls diodlarmı fərqləndirən cəhət ondadır ki, onlarda elektrik keçidinin sahəsi və bazada qeyri-tarazlıq yükdaşıyıcılarmm ömrü azdır.

Elektronika- R.Hümbətov

Ardını oxu

Paylaş:    Facebook Twitter Google+ Stumble Digg

Düzləndirici diodlar

Düzləndirici diodlar 

Bu diodlar məhdud tezlik diapazonunda (50hs-100khs) dəyişən cərəyanı sabit cərəyana çevirmək üçün istifadə olunur.

Elektronika- Hümbətov R

Ardını oxu

Paylaş:    Facebook Twitter Google+ Stumble Digg

YARIMKEÇİRİCİ DİODLAR

 YARIMKEÇİRİCİ DİODLAR

Bir p-n keçidə malik olan və iki elektrik çıxışı olan cihaza yarımkeçrici diod deyilir. Yarımkeçirici diodlar təyinatlarına, konstruktiv texnoloci xüsusiyyətlərinə və materialının növünə görə təsnifatlaşdırılır.

Təyinatlarına görə diodlar aşağıdakı növlərə bölünür: düzləndirici diodlar, impuls diodları stabilitronlar (dayaq diodları), varikaplar, tunel diodları, Şottki diodları və s.

Konstruktiv-texnoloji xüsusiyyətlərinə görə müstəvi və nöqtəvi diodlar olur.

Diodlar germaniumdan, silisiumdan, selendən, silisium karbiddən, qallium arseniddən hazırlanır.

Əksəriyyət diodlarm iş prinsipi keçiddə baş verən hadisələrə əsaslanır. Ən çox elektron-deşik keçidi, metal- yarımkeçirici təması və heterokeçidlər istifadə olunur.

Yarımkeçirici dioda elektrik dövrəsində qeyri-xətti volt-amper xarakteristikasına malik ikiqütblü kimi baxmaq olar.

Diodlar elektrik siqnalları üzərində müxtəlif çevrilmələr (düzləndirmə, detektə etmə, tezliyin çoxaldılması, işıq enerjisinin elektrik enerjisinə çevrilməsi və s.) aparır.

Elektronika- R.Hümbətov

Ardını oxu

Paylaş:    Facebook Twitter Google+ Stumble Digg