Bipolyar tranzistorlar

 Bipolyar tranzistorlar

İki p-n keçidə malik olan və üç qatlı yarımkeçirici strukturdan ibarət cihaza bipolyar tranzistorlar deyilir. Qatların bir-birinin ardınca yerləşməsi ardıcıllığından asılı olaraq onların iki növü p-n-p (şəkil 6.1a) və n-p-n (şəkil 6.1 b) olur. Bu cür tranzistorlar əritmə və ya diffuziya üsulu ilə yuxarıda izah edilən texnologiya əsasında əsasən silisiumdan və germaniumdan hazırlanır. "Bipolyar" sözü cihazda cərəyanın hər iki işarəli yük- daşıyıcıların (elektron və deşik) hərəkəti nəticəsində yaranması ilə əlaqədardır. Yarımkeçirici strukturda əsas (baza) rolunu orta qat oynayır. 

Kənar qatlar donor və ya akseptor aşqarlarının diffuziyası (və ya əridilməsi) yolu ilə yaradılır. Bu qatların biri emitter, digəri isə kollektor adlanır. Müvafiq keçidlər də həmin adları daşıyır. Emitter keçidi yük daşıyıcıları bazaya injeksiya edir, kollektor keçidi isə bazadan keçib gedən yükdaşıyıcıları yığır (ekstraksiya edir). Emitterin injeksiya etdiyi bazadan keçən daşıyıcıların hamısını yığmaq üçün kollektor keçidinin sahəsi emitter keçidinin sahəsindən çox olur (şəkil 6.1c).

Elektronika- R. Hümbətov