Yarımkeçirici inteqral mikrosxemlərdə kondensator kimi bipolyar tranzistorların əks qoşulmuş p-n keçidlərinin sədd tutumu və ya MOY-tranzistorun tutumu istifadə olunur. inteqral kondensatorlar əsasən bipolyar tranzistorların emitter və kollektor keçidləri əsasında əldə edilir (şəkil 10.12). Emitter keçidli kondensatorun (a) xüsusi tutumu (vahid sahəyə düşən) ən böyük (0,2mkE/sm2), deşilmə gərginliyi isə ən kiçik (bir neçə volt) olur. Kollektor keçidli kondensatorun (b) xüsusi tutumu təxminən 6 dəfə kiçikdir, deşilmə gərginliyi isə on voltlarla ölçülür.
Sunday, March 27, 2022
Rezisotorların hazırlanması
İnteqral rezistorlar 3 mkm-ə qədər nazik yarımkeçirici qat kimi olur. Onları altlığın digər adacıqlarında yaradılan tranzistor strukturları ilə eyni zamanda formalaşdırmaq lazımdır. Belə rezistor dif- fuziya rezistoru adlanır. Rezistorlar da başqa elementlərlə bağlı p-n keçidləri vasitəsi ilə izolə edilir.
Praktikada ən çox yayılan üsul tranzistor strukturunun baza və ya emitter qatının diffuziya rezistoru kimi istifadə edilməsidir. Baza qatı üzərində böyük müqavimətli, emitter qatı üzərində isə kiçik müqavimətli rezistorlar alınır. Baza qatı əsasında alınan diffuziya rezistorunun strukturundan görünür ki, o, digər elementlərdən ən azı iki əks qoşulmuş pn keçidlə izolə olunmuşdur (şəkil 10.11 a). Tətbiq edilən gərginliyin işarəsindən asılı olmayaraq qarşı-qarşıya qoşulmuş p-n keçidlər sistemi həmişə bağlı olur.
Dördbucaqlı formaya malik olan diffuziya rezistorunun müqaviməti belə təyin olunur:
Xüsusi səthi müqavimət təbəqəli rezistorların cərəyan keçirmə xüsusiyyətlərini xarakterizə edən mühüm kəmiyyətdir və o, kvadratın ölçülərindən asılı olmur. Onun ölçü vahidi Om/kvadratdır (Om/m). Bipolyar tranzistorun emitter qatı əsasında alman diffuziya rezistorunun da (şəkil 10.1 lb) müqaviməti yuxarıdakı qayda ilə təyin edilir. Baza qatı əsasında alman diffuziya rezistorlarınm xüsusi, səthi, müqaviməti. 100-300 Om/kvadrat, emitter qatı əsasında, alınan rezistorunki isə 0,5 Om/kvadrat həddində olur. Adətən, belə rezistorların müqavimətlərinin qiyməti 10 Om-dan 50 kOm-a qədər, sahəsi isə 0,125 mrnf olur ki, bu da inteqral tranzistorun tutduğu sahədən 40-50 dəfə çoxdur, p-n keçidlərlə izolə olunmuş diffuziya rezistorlaıı 20 Mhs-ə qədər tezlikdə işləyə bilir. .Metal-oksid-yarımkeçirici strukturlarda rezistor kimi MOY tranzistorları istifadə olunur (şəkil 10.11c). Burada kanal rezistiv cərəyan axıdan cığır kimi təsvir edilir və en kəsiyi yuxarıdan n tipli aşqarlı diffuziya həyata keçirməklə kiçildilir. Bu rezistorlar qeyrixətti xarakteristikaya malik olurlar və onlara PINÇ-rezistorlar deyilir.
Saturday, March 26, 2022
Diodların hazırlanması
Planar texnologiya ilə diodlar da yuxarıdakı qaydada hazırlana bilər. Lakin konstruktiv-texnoloji baxımdan sərfəli olduğuna görə diod kimi adətən inteqral tranzistorların emitter və kollektor keçidləri istifadə olunur. Diod kimi istifadə olunan inteqral tranzistorlar 5 müxtəlif sxem üzrə qoşulur (şəkil 10.10). Kollektor keçidi əsasında alman diodlar (şəkil 10.10 ç, d) ən böyük buraxda bilən əks gərginliyə (SOV) malikdir. Emitter keçidində alman diodlarm iş sürəti böyük, əks cərəyanının qiyməti isə ən kiçik olur. Kollektor keçidi qısa qapanmaqla emitter keçidi əsasında alman diod (şəkil 10. 10с) stabilitron kimi işlədilir. Diodun tutumu (anod və katod arasında) istifadə olunan keçidin sahəsi ilə müəyyən edilir. Ona görə də tutumun qiyməti hu keçidlər paralel qoşulanda (şəkil lO.lOç) maksimal olur. Altlıqla element arasında yaranan parazit tutum anodu və ya katodu "yerə" şuntlaya bilər, çünki altlıq "yerə" birləşmiş (torpaqlanmış) olıır. Emitter keçidində alman diodlarda bıı tutum dalıq kiçik olıır.
Diodun açıq vəziyyətdən bağlı vəziyyətə keçirilməsi müddəti (əks—cərəyanın bərpa müddəti) kollektor keçidi qısa qapanmaqla emitter keçidində alman diodlarda minimal olur, çünki burada yüklər yalnız baza qatında yığılır (kollektor keçidi qısa qapanmışdır şəkil 10.10c). Digər variantlarda yüklər lıəm bazada, həm də kollektorda yığılır və onların sorulub aparılması üçün daha çox vaxt tələb olunur. Göstərilən variantlardan emitter dövrəsində alınan diodlar (şəkil 10.10 c,ç) optimal hesab olunur. Ən çox istifadə olunan kollektor keçidi qısa qapanmaqla emitter keçidində alınan dioddur.
Mənbə: R. Hümbətov, Elektronika