Tranzistorları hazırlamaq üçün əsasən planar-diffuziyalı və planar-epitaksial texnologiyadan istifadə edirlər.
Bipolyar tranzistoru hazırlamaq üçün planar-diffuziyalı texnologiyada əvvəlcə p tipli altlığın səthində termiki oksidləşmə üsulu ilə silisium oksiddən nazik müdafiə qatı yaradılır (şəkil 10.8). Sonra fotolitoqrafıya üsulu ilə 1-ci oksid üzlüyü əmələ gətirmək üçün oksid təbəqəsinin üzünə işığa həssas olan emıılsiya-fotorezist çəkilir. Fotorezistin üzərinə üzlüyün tələb olunan rəsminin şəkli salmır, alınan təsvir aşkarlanır, fotorezistin işıq düşən hissələri xüsusi məhlulla təmizlənərək oksid təbəqəsinin üsto açılır. Sonra yenə məhlulla üstü açılmış sahədə oksid təbəqəsi həll etdirilib götürülür.
Nəticədə, inteqral mikrosxemdə tranzistorların verilən sayma uyğun və tələb olunan şəkildə deşiklər (pəncərələr) toplusu yaranır (şəkil 10.8b).
Bu pəncərələrdən altlığın dərinliklərinə n tipli aşqarlar diffuziya edilir və qonşu sahələrdən və altlıqdan bağlı p- n keçidlərlə izolə olunmuş n tipli qatlar—adacıqlar əmələ gəlir (şəkil 10.8c). Bu adacıqlar digər elementlərin yaranması üçün əsas təşkil edir və onların üzərində planar tranzistorlar yaradılır. Bunun üçün ikinci oksid üzlüyü vasitəsilə n tipli kollektor rolunu oynayan adacıqların dərinliyinə p tipli aşqarın diffuziyası həyata keçirilərək p tipli baza qatı əmələ gətirilir. Sonra üçüncü üzlükdən adalara n tipli aşqar diffuziya edilərək n tipli emitter yaradılır. Nəhayət, dördüncü oksid üzlüyündən qatları və lazımi elementləri birləşdirən yolların üzərinə metallaşdırılmış təmasları toz şəklində səpələyirlər (şəkil 10.8ç).
Planar-diffuziya texnologiyasının mənfi cəhəti odur ki, diffuziya altlığın səthindən həyata keçirildiyindən p-n keçidlərinin sərhədlərinin dəqiqliyi kiçik olur. Ona görə də aşqarlar altlığın qalınlığı boyu bərabər paylanmır: səthdə aşqarların konsentrasiyası dərinliklərə nisbətən daha çox olur.
Bu çatışmazlıq planar-epitaksial texnologiyada aradan qaldırılır.
İstənilən keçiriciliyə malik olan yarımkeçirici altlığın üzərinə qaz fazasından 10-15 mkm qalmlıqlı nazik yarımke- çirici qatının artırılması prosesinə epitaksiya deyilir. Epitak- siya nəticəsində artırılan (yetişdirilən) qatın kristal qəfəsi altlığın kristal qəfəsindən tam davamı olur. Epitaksial qatla altlıq izoləedici rol oynayır p-n keçidlə bir-birindən ayrılır.
Planar-epitaksial texnologiya ilə bipolyar tranzistoru hazırlamaq üçün p tipli yüksək müqavimətli altlıq və oksid təbəqəsi ilə örtülmüş n tipli epi taksi al qatdan istifadə edilir
(şəkil 10.9a). Sonra oksid qatından üzlük düzəldilir (şəkil 10.9b) və onun pəncərələrindən p tipli aşqarın diffuziyası təşkil edilir. Nəticədə, epitaksial qatda planar-diffuziyah texnologiyada almanlara bənzər bağlı p-n keçidlərlə izolə olunmuş ad acıqlar yaranır (şəkil 10.9c).
Bundan sonra planar—diffuziyalı texnologiyada, olduğu kimi adacıqlar əsasında tranzistor strukturları formalaşdırılır. Plaııar-epitaksial texnologiyada, aşqarlar epitaksial qat boyunca bərabər paylanır və p-n keçidlərin sərhədləri daha, dəqiq olur. MDY tranzistorlar da bu qayda ilə hazırlanır, lakin texnoloji əməliyyatların sayı 3-3,4 dəfə, tranzistorun tutduğu sahə isə 20-25 dəfə az olur.
