Sunday, March 27, 2022

Rezisotorların hazırlanması

 İnteqral rezistorlar 3 mkm-ə qədər nazik yarımkeçirici qat kimi olur. Onları altlığın digər adacıqlarında yaradılan tranzistor strukturları ilə eyni zamanda formalaşdırmaq lazımdır. Belə rezistor dif- fuziya rezistoru adlanır. Rezistorlar da başqa elementlərlə bağlı p-n keçidləri vasitəsi ilə izolə edilir.

Praktikada ən çox yayılan üsul tranzistor strukturunun baza və ya emitter qatının diffuziya rezistoru kimi istifadə edilməsidir. Baza qatı üzərində böyük müqavimətli, emitter qatı üzərində isə kiçik müqavimətli rezistorlar alınır. Baza qatı əsasında alınan diffuziya rezistorunun strukturundan görünür ki, o, digər elementlərdən ən azı iki əks qoşulmuş pn keçidlə izolə olunmuşdur (şəkil 10.11 a). Tətbiq edilən gərginliyin işarəsindən asılı olmayaraq qarşı-qarşıya qoşulmuş p-n keçidlər sistemi həmişə bağlı olur.

Dördbucaqlı formaya malik olan diffuziya rezistorunun müqaviməti belə təyin olunur:

Xüsusi səthi müqavimət təbəqəli rezistorların cərəyan keçirmə xüsusiyyətlərini xarakterizə edən mühüm kəmiyyətdir və o, kvadratın ölçülərindən asılı olmur. Onun ölçü vahidi Om/kvadratdır (Om/m). Bipolyar tranzistorun emitter qatı əsasında alman diffuziya rezistorunun da (şəkil 10.1 lb) müqaviməti yuxarıdakı qayda ilə təyin edilir. Baza qatı əsasında alman diffuziya rezistorlarınm xüsusi, səthi, müqaviməti. 100-300 Om/kvadrat, emitter qatı əsasında, alınan rezistorunki isə 0,5 Om/kvadrat həddində olur. Adətən, belə rezistorların müqavimətlərinin qiyməti 10 Om-dan 50 kOm-a qədər, sahəsi isə 0,125 mrnf olur ki, bu da inteqral tranzistorun tutduğu sahədən 40-50 dəfə çoxdur, p-n keçidlərlə izolə olunmuş diffuziya rezistorlaıı 20 Mhs-ə qədər tezlikdə işləyə bilir. .Metal-oksid-yarımkeçirici strukturlarda rezistor kimi MOY tranzistorları istifadə olunur (şəkil 10.11c). Burada kanal rezistiv cərəyan axıdan cığır kimi təsvir edilir və en kəsiyi yuxarıdan n tipli aşqarlı diffuziya həyata keçirməklə kiçildilir. Bu rezistorlar qeyrixətti xarakteristikaya malik olurlar və onlara PINÇ-rezistorlar deyilir. 





Saturday, March 26, 2022

Diodların hazırlanması

Planar texnologiya ilə diodlar da yuxarıdakı qaydada hazırlana bilər. Lakin konstruktiv-texnoloji baxımdan sərfəli olduğuna görə diod kimi adətən inteqral tranzistorların emitter və kollektor keçidləri istifadə olunur. Diod kimi istifadə olunan inteqral tranzistorlar 5 müxtəlif sxem üzrə qoşulur (şəkil 10.10). Kollektor keçidi əsasında alman diodlar (şəkil 10.10 ç, d) ən böyük buraxda bilən əks gərginliyə (SOV) malikdir. Emitter keçidində alman diodlarm iş sürəti böyük, əks cərəyanının qiyməti isə ən kiçik olur. Kollektor keçidi qısa qapanmaqla emitter keçidi əsasında alman diod (şəkil 10. 10с) stabilitron kimi işlədilir. Diodun tutumu (anod və katod arasında) istifadə olunan keçidin sahəsi ilə müəyyən edilir. Ona görə də tutumun qiyməti hu keçidlər paralel qoşulanda (şəkil lO.lOç) maksimal olur. Altlıqla element arasında yaranan parazit tutum anodu və ya katodu "yerə" şuntlaya bilər, çünki altlıq "yerə" birləşmiş (torpaqlanmış) olıır. Emitter keçidində alman diodlarda bıı tutum dalıq kiçik olıır. 

Diodun açıq vəziyyətdən bağlı vəziyyətə keçirilməsi müddəti (əks—cərəyanın bərpa müddəti) kollektor keçidi qısa qapanmaqla emitter keçidində alman diodlarda minimal olur, çünki burada yüklər yalnız baza qatında yığılır (kollektor keçidi qısa qapanmışdır şəkil 10.10c). Digər variantlarda yüklər lıəm bazada, həm də kollektorda yığılır və onların sorulub aparılması üçün daha çox vaxt tələb olunur. Göstərilən variantlardan emitter dövrəsində alınan diodlar (şəkil 10.10 c,ç) optimal hesab olunur. Ən çox istifadə olunan kollektor keçidi qısa qapanmaqla emitter keçidində alınan dioddur.


Mənbə: R. Hümbətov, Elektronika


Sunday, August 22, 2021

Tranzistorların hazırlanması

Tranzistorları hazırlamaq üçün əsasən planar-diffuziyalı və planar-epitaksial texnologiyadan istifadə edirlər. 


Bipolyar tranzistoru hazırlamaq üçün planar-diffuziyalı texnologiyada əvvəlcə p tipli altlığın səthində termiki oksidləşmə üsulu ilə silisium oksiddən nazik müdafiə qatı yaradılır (şəkil 10.8). Sonra fotolitoqrafıya üsulu ilə 1-ci oksid üzlüyü əmələ gətirmək üçün oksid təbəqəsinin üzünə işığa həssas olan emıılsiya-fotorezist çəkilir. Fotorezistin üzərinə üzlüyün tələb olunan rəsminin şəkli salmır, alınan təsvir aşkarlanır, fotorezistin işıq düşən hissələri xüsusi məhlulla təmizlənərək oksid təbəqəsinin üsto açılır. Sonra yenə məhlulla üstü açılmış sahədə oksid təbəqəsi həll etdirilib götürülür.


Nəticədə, inteqral mikrosxemdə tranzistorların verilən sayma uyğun və tələb olunan şəkildə deşiklər (pəncərələr) toplusu yaranır (şəkil 10.8b).
Bu pəncərələrdən altlığın dərinliklərinə n tipli aşqarlar diffuziya edilir və qonşu sahələrdən və altlıqdan bağlı p- n keçidlərlə izolə olunmuş n tipli qatlar—adacıqlar əmələ gəlir (şəkil 10.8c). Bu adacıqlar digər elementlərin yaranması üçün əsas təşkil edir və onların üzərində planar tranzistorlar yaradılır. Bunun üçün ikinci oksid üzlüyü vasitəsilə n tipli kollektor rolunu oynayan adacıqların dərinliyinə p tipli aşqarın diffuziyası həyata keçirilərək p tipli baza qatı əmələ gətirilir. Sonra üçüncü üzlükdən adalara n tipli aşqar diffuziya edilərək n tipli emitter yaradılır. Nəhayət, dördüncü oksid üzlüyündən qatları və lazımi elementləri birləşdirən yolların üzərinə metallaşdırılmış təmasları toz şəklində səpələyirlər (şəkil 10.8ç).
Planar-diffuziya texnologiyasının mənfi cəhəti odur ki, diffuziya altlığın səthindən həyata keçirildiyindən p-n keçidlərinin sərhədlərinin dəqiqliyi kiçik olur. Ona görə də aşqarlar altlığın qalınlığı boyu bərabər paylanmır: səthdə aşqarların konsentrasiyası dərinliklərə nisbətən daha çox olur.
Bu çatışmazlıq planar-epitaksial texnologiyada aradan qaldırılır.
İstənilən keçiriciliyə malik olan yarımkeçirici altlığın üzərinə qaz fazasından 10-15 mkm qalmlıqlı nazik yarımke- çirici qatının artırılması prosesinə epitaksiya deyilir. Epitak- siya nəticəsində artırılan (yetişdirilən) qatın kristal qəfəsi altlığın kristal qəfəsindən tam davamı olur. Epitaksial qatla altlıq izoləedici rol oynayır p-n keçidlə bir-birindən ayrılır.
Planar-epitaksial texnologiya ilə bipolyar tranzistoru hazırlamaq üçün p tipli yüksək müqavimətli altlıq və oksid təbəqəsi ilə örtülmüş n tipli epi taksi al qatdan istifadə edilir
(şəkil 10.9a). Sonra oksid qatından üzlük düzəldilir (şəkil 10.9b) və onun pəncərələrindən p tipli aşqarın diffuziyası təşkil edilir. Nəticədə, epitaksial qatda planar-diffuziyah texnologiyada almanlara bənzər bağlı p-n keçidlərlə izolə olunmuş ad acıqlar yaranır (şəkil 10.9c).

Bundan sonra planar—diffuziyalı texnologiyada, olduğu kimi adacıqlar əsasında tranzistor strukturları formalaşdırılır. Plaııar-epitaksial texnologiyada, aşqarlar epitaksial qat boyunca bərabər paylanır və p-n keçidlərin sərhədləri daha, dəqiq olur. MDY tranzistorlar da bu qayda ilə hazırlanır, lakin texnoloji əməliyyatların sayı 3-3,4 dəfə, tranzistorun tutduğu sahə isə 20-25 dəfə az olur.




Yarımkeçirici inteqral sxemlərində elementlərin hazırlanması

 Yarımkeçirici inteqral mikrosxemlər iki sinfə: bipolyar və MDY (metal-dielektrik-yanmkeçirici) inteqral mikrosxemlərə bölünür. Hər iki sinfə məxsus inteqral sxemlərin texnologiyası silisium lövhəsinə növbə ilə donor və akseptor aşqarları əlavə etməklə kristalın səthi altında müxtəlif keçiriciliyə malik nazik qatlar və qatların sərhədlərində p-n keçidlər yaradılmasına əsaslanır. Ayrı ayrı qatlar rezistor strukturları, p-n keçidlər isə diod və tranzistor strukturları kimi istifadə olunur.


Lövhəyə donor və akseptor aşqarlarının əlavə edilməsi bir-birindən kifayət qədər aralı (10-100 mkm) yerləşən ayrıayrı lokal sahələrdə baş verir. Bunun üçün deşikləri olan xüsusi maskalardan - üzlüklərdən ffototablolardan) istifadə edirlər. Üzlüyün deşiklərindən lazımi sahələrdə aşqar atomları yarımkeçirici lövhənin daxilinə keçir. Adətən, üzlük rolunu silisium lövhəsinin üstünü örtən oksid (SiOf) təbəqəsi oynayır. Bu təbəqədə xüsusi üsullarla tələb olunan deşiklər toplusu və ya başqa sözlə, tələb olunan rəsm həkk edilir (şəkili 0.6). Üzlükdəki (oksid təbəqəsindəki) deşiklərə pəncərə deyilir. Bipolyar inteqral sxemlərin əsas elementi n-p-n tipli tranzistordur. Bütün texnoloji dövr tranzistorun hazırlanmasına yönəlmişdir. Bütün başqa elementlər mümkün olduqca əlavə texnoloji əməliyyatlar olmadan tranzistorla eyni zamanda hazırlanmalıdır. Məsələn, rezistorlar n-p-n tranzistorun baza qatı ilə eyni zamanda hazırlanır və baza qatı qədər dərinlikdə (kristalda) yerləşir. Kondensator kimi əks qoşulmuş p-n keçidlərdən istifadə olunur. 

Bunların n qatları n-p-n tranzistorun kollektor qatına, p qatları isə baza qatına uyğun gəlir. MDY inteqral sxemin əsasını induksiya edilmiş kanallı MDY tranzistor təşkil edir. Rezistor rolunu ikiqütblü sxemi ilə qoşulmuş tranzistor oynayır. Kondensator kimi tranzistorun idarəedici elektrodunun altı
ilə eyni vaxtda hazırlanan dielektrik qatı, mənbə və mənsəblə eyni vaxtda hazırlanan yarımkeçirici lövhələr istifadə olunur. Bipolyar inteqral sxemin elementlərinin kristal vasitəsilə əlaqəsinin olmaması üçün onları bir-birindən izolə etmək lazımdır. Qonşu MDY tranzistorların qarşılıqlı
əlaqəsi olmur və onları bir-birinə çox yaxın yerləşdirmək mümkün olur. Bu, MDY inteqral sxemlərinin müsbət cəhətlərindən biridir. Yarımkeçirici inteqral mikrosxemlərdə transformatorlar və induktiv sarğaclar olmur. Çünki bərk cisimdə elektromaqnit induksiyasına ekvivalent olan hər hansı bir hadisəni
əldə etmək mümkün olmur. Əgər sxemdə transformator və induktiv sarğac tələb olunarsa ondan "asılmış" komponent kimi istifadə etmək lazımdır. Yarımkeçirici inteqral sxemlər qalınlığı 30-50 mkm
və diametri 50-100 mm olan silisium altlıqlarda planar texnologiya əsasında hazırlanır. Planar texnologiyaya görə hazırlanan elementlər yastı struktura malik olur, pn keçidlər və uyğun təmas sahələri altlığın bir (yuxarı) səthinə çıxır (şəkil 10.7). Silisium oksiddən olan təbəqə p-n keçid ləri xarici təsirdən qoruyur. 
Texnoloji dövr qurtarandan sonra altlıqları almaz kəsicilərlə və ya lazer şüası ilə ayrı-ayrı kristallara bölürlər və bunların hər biri ayrıca inteqral mikrosxem təşkil edir. Bundan əvvəl yarımkeçirici inteqral mikrosxemlərin elektrik parametrlərini ölçür və zay mikrosxemləri ayırırlar.

R.Hümbətov Elektronika




Sunday, June 20, 2021

Nouns(test toplusu 2019)

 Sadə isimlər

Heçbir şəkilçisi olmayan, bir kökdən ibarət, iki söz birləşməsindən ibarət olmayan isimlərdir.

actor(əktə) -aktyor

number(nambə)- ədəd, nömrə, rəqəm, say

religion(rılıcən) -din

luxury(lakşərı) -dəbdəbə, cahcəlal

matter(madər)- maddə, iş, materiya

servant(səvənt)- nökər, qulluqçu

capacity(kəpasedi)- tutum

evolution(evəloşən)- təkamül

Saturday, May 22, 2021

Səfa Məcidovun Elektronika 1-2 kitabını pulsuz yüklə

 Kitabın hər iki hissəsi bir pdf şəklində yığılmışdır. Kitabı yükləmək üçün "daxil ol və yüklə" linkinin üzərinə bir dəfə klikləyin.

DAXİL OL VƏ YÜKLƏ

Elm paylaşılaraq çoxalar..... Hər birinizə uğurlar arzulayıram.. 

Hörmətlə: Səfa Məcidov Bəfa oğlu



Sunday, May 16, 2021

İnteqral mikrosxemlərin təsnifatı

 Hazırlanma texnologiyasına görə inteqral mikrosxemlər 3 yerə — уarım keçirici, təbəqəli inteqral mikrosxemlərə və mikroyığımlara bölünür. Təbəqəli inteqral mikrosxemlər nazik təbəqəli (1-2 mkm) və qalın təbəqəli (10-20 mkm) olurlar və bunların tərkibində həm elementlər, həm də komponentlər olduğundan onlara hibrid inteqral mikrosxemlər deyilir.

Yarımkeçirici inteqral mikrosxemlərdə bütün aktiv (tranzistor, diod və s.) və passiv (rezistor, kondensator) elementlər və onların birləşmələri vahid ilkin yarımkeçirici kristalda biri-birindən ayrılması mümkün olmadan əlaqələndirilmiş p-ıı keçidlərin birliyi kimi hazırlanır. Burada həcmində və səthində planar texnologiya ilə mikrosxemlərin elementləri və təmas sahələri yerləşdirilmiş yarımkeçirici kristal aktiv rol oynayır (şəkil 10.3).


Hibrid mikrosxemlərdə bütün passiv elementlər dielektrik əsasın (altlığın) səthində birqatlı və ya çoxqatlı strukturlar şəklində hazırlanır və bir- birilə nazik təbəqə şəkilli məftillərlə biriəşdirilir (şəkil 10.4), yarımkeçirici cihazlar və başqa komponentlər (miniatür çini konsdensatorlar, induktivliklər) isə altlığın üzərində diskret detallar kimi yerləşdirilir (şəkil 10.5). Kristalın səthinə toz halında səpələnən təbəqələr heç cür tranzistor tipli aktiv element yaratmağa imkan vermədiyindən belə inteqral mik- rosxemlərdə inteqral texnologiya ilə yalnız passiv elementlər almır. Bu texnologiya həm də təbəqəli texnologiya adlanır. Sırf təbəqəli inteqral sxemlərin yerinə yetirdiyi funksiyalar məhdud olduğundan onların imkanları diskret kom­ ponentlərin əlavə altlıq üzərində yerləşdirilməsi ilə artırılır. Diskret komponentlərin təbəqələri elementlərlə birləşmə­ sindən qarışıq təbəqəli diskret (hibrid) inteqral mikrosxem əmələ gəlir.

Praktikada həm yarım keçirici, həm də hibrid inteqral mikrosxemlər geniş istifadə edilir. Hər iki texnologiya özünə məxsus üstün cəhətlərə malik olduğundan onlar bir-birini tamamlayır: mikrosxemlər hibrid inteqral mikrosxemlərdə komponent kimi istifadə olunur (mikroyığımlar üçün xarakterikdir). Qarışıq inteqral mikrosxemin bir növü də uyğunlaşdırılmış inteqral mikrosxemlərdir. Bunlarda aktiv elementlər yarımkeçirici irıteqral mikrosxemlərdə olduğu kimi yarımkeçirici kristalın səth qatında, passiv elementlər isə təbəqəli inteqral sxemlərdəki kimi həmin kristalın əvvəlcədən izolə olunmuş səthində plyonka halında hazırlanır. Uyğunlaşdı­rılmış mikrosxemlərin istifadəsində müqavimətlərin və
tutumların yüksək nominalları və stabilliyi tələb olunur, bunu isə yarımkeçiricilərə nisbətən təbəqəli elementlərin vasitəsilə asan həyata keçirmək olar. inteqral mikrosxemlərin hamısında elementlərarası
birləşmələr altlığın səthinə çəkilən (və ya toz halında səpələnən) və lazımi yerlərdə elementlərlə təmasda olan nazik metal zolaqların köməyi ilə əldə edilir. Bu birinci zolaqların çəkilməsinə (səpələnməsinə) metallaşdırma, ara birləşmələrinin rəsminə isə metallaşdırılmış ayrılma deyilir. Yarımkeçirici və hibrid mikrosxemlərdən fərqli olaraq mikroyığımlar daha mürəkkəb funksiyaları yerinə yetirirlər və bunun üçün tələb olunan elementlər, komponentlər və in­teqral mikrosxemlər birliyindən təşkil olunur. Yerinə yetirdiyi funksiyaların xarakterinə görə inteqral mikrosxemlər analoq və rəqəmli inteqral mikrosxemlərə bö­lünür. Analoq inteqral mikrosxemlər aramsız funksiya qanu­nu ilə dəyişən elektrik siqnallarının çevrilməsi və emalı funksiyalarını yerinə yetirir. Belə inteqral mikrosxemlər gücləndirici, harmonik siqnal generatoru, süzgəc, detektör kimi istifadə olunur. Analoq inteqral sxeminin fərdi halı kimi xətti xarakteristikaya malik olan xətti mikrosxemi göstərmək olar.
Rəqəmli inteqral mikrosxemlər diskret funksiya qanunu ilə dəyişən (məsələn, ikilik kod) elektrik siqnallarını çevirir və emal edirlər. Bunlara həm də məntiq inteqral mik- rosxemləri deyilir.

Ramiz Hümbətov - Elektronika




Friday, May 14, 2021

Mikroelektronikanın elementləri

 Mikroelektronika elektronikanın yeni tipli cihazların —inteqral mikrosxemlərin tədqiqi, işlənib hazırlanması və tətbiqini əhatə edən bir bölməsidir.

Mikroelektronika elektron qurğularının etibarlığının artırılması, kütləsinin, ölçülərinin və maya dəyərinin azaldılması problemlərini həll edir.

Mikroelektronikanın əsasını elektron komponentlərin inteqralprinsiplə hazırlanması və tətbiq edilməsi təşkil edir. Burada hər bir komponent ayrıca götürülmüş tranzistor, diod, rezistor, və s. deyil, onların bir-birindən ayrılmaz birləşməsidir. Belə birləşmə elektron aparatının hər hansı qovşağı, bloku və ya qurğusu ola bilər. Ona görə də mikro- elektronikanın komponentlərinə inteqral mikrosxem və ya sadəcə olaraq mikrosxem deyilir.

inteqral mikrosxem müəyyən məlumat çevrilməsi funksiyasını yerinə yetirən vahid daşıyıcı konstruksiya-altlıq üzərində vahid texnoloji dövrdə (eyni vaxtda) hazırlanan bir neçə qarşılıqlı birləşmiş komponentlər (diodlar, tranzis- torlar, rezistorlar, kondensatorlar) toplusuna deyilir.

Əgər inteqral mikrosxemin tərkibinə yalnız eyni tipli komponentlər (yalnız diodlar, yalnız tranzistorlar və s.) daxil olarsa, onu həmin komponentlərin yığımı adlandırırlar.

inteqral sxem termini ayrı-ayrı komponentlərin birləşməsini (inteqrasiyasını) və həm də ayrı-ayrı komponentlərə nisbətən qurğunun yerinə yetirdiyi funksiyaların mürəkkəbləşməsini əks etdirir.

Inteqral sxemin tərkibinə daxil olan və buna görə də ondan müstəqil məmulat kimi ayrıla bilməyən komponentlərinə inteqral elementlər və ya inteqral sxemin elementləri deyilir. Onları adi tranzistorlardan, rezistorlardan və s fərqləndirən cəlıət odur ki, adi elementlər ayrı-ayrı konstruktiv vahidlər kimi hazırlanır və bundan sonra qalaylamaq yolu ilə sxemə birləşdirilir. Bu elementlərə diskret komponentlər, onların əsasında qurulan elektron sxemlərinə isə diskret sxemlər deyilir.

Elektronikanın inkişafı prosesində elektron aparatının yerinə yetirdiyi funksiyaların aramsız mürəkkəbləşməsi, sxemlərin etibarlılığının artırılması, kütləsinin, ölçülərinin, gücünün və maya dəyərinin azaldılması zərurəti yeni element bazası yaratmaq məsələsini qarşıya çıxarmış və inteqral sxemlərin yaranmasına təkan vermişdir.

inteqral sxemlərin hazırlanmasının əsasını 50-ci illərin axırında diskret tranzistorların hazırlanmasında istifadə edilən qrup üsulu və planar texnologiya təşkil edir.

Komponentlərin bir altlıq üzərində texnoloji inteqrasiyası ideyası məhz tranzistorların qrup üsulu ilə hazırlanmasından irəli gəlmişdir. Qrup üsulunda 25—40 mm diametrli silisium və ya germanium lövhəsinin üzərində bərabər paylanmış çoxlu tranzistor eyni vaxtda hazırlanır (şəkil 10.1 a). Sonra lövhə üfüqi və şaquli surətdə yüzlərlə ayrı- ayrı, hərəsi bir tranzistordan ibarət kristallara bölünür (şəkil lO.lb). Daha sonra kristallar xarici çıxışları olan gövdəyə yerləşdirilir və istifadə üçün sifarişçiyə göndərilir (şəkil lO.lc). Sifarişçi ayrı-ayrı komponentləri biri-biri ilə qalaylamaqla birləşdirir və funksional qovşaq (gücləndirici, yaddaş qurğusunun yuvasını və s.) əldə edir.


İnteqrasiya ideyası ondan ibarətdir ki, ilkin ayrı-ayrı tranzistorlar əvəzinə eyni zamanda bir çox “komplektlər” hazırlanır. Bu “komplektlərin ” hər biri funksional qovşağı qurmaq üçün tələb olunan komponentlərdən - diodlardan, tranzistorlardan, rezistorlardan və s. ibarət olur (şəkil 10.2a). Bu komponentlər bir-birilə məftillərlə və qalayla yox, lövhənin səthinə “üfürülmüş” nazik qısa metal zolaqlarla. birləşdirilir. Beləliklə, hər “komplekt” hazır inteqral sxemdən ibarət olur (şəkil 10.2b). Lövhənin səthində bərabər paylanmış inteqral sxemlər ayrı-ayrı kristallara bölünür və gövdələrə yerləşdirilir (şəkil 10.2c). Bu halda konstruktiv cəhətdən vahid elektron cihazı şəklində hazır funksional qovşaq alınmış olur.

Elementləri bir-biri ilə nazik metal zolaqlarla birləşdirmək üçün elektrodların hamısının çıxışı bir müstəvidə —lövhənin səthində yerləşməlidir. Belə imkanı xüsusi planar texnologiya yaradır. Təbiidir ki, qrup üsulu ilə birlikdə mikroelektronika planör texnologiyam da inteqral sxemlərin hazırlanmasında istifadə etmişdir. 

Göründüyü kimi inteqral sxemlər əsasında elektron aparatları işlənib hazırlanarkən cihazın etibarlılığını azaldan çoxlu qalaylanan birləşmələr aradan çıxır, hər elementin gövdəsi və çıxışı olmadığından cihazın kütləsi, ölçüləri və çoxlu yığma və montaj əməliyyatlarına lüzum qalmadığından qurğunun dəyəri azalır. Müasir qrup texnologiyası əsasında hərəsinin 200 minə qədər elementi olan bir neçə min inteqral sxemi, yəni bir neçə milyon elementi eyni vaxtda. hazırlamaq mümkündür. Özü də bu elementlərin hamısı adi tranzistorun hazırlanmasında olduğu kimi sadə p-n keçidlərin formalaşdırılması yolu ilə hazırlanır. Bunun nəticəsində inteqral sxemlərin parametrlərinin oxşarlıq dərəcəsi artır, diskret elementlərdə yığılmış sxemlərə nisbətən etibarlıq çox-çox yüksəlir, element bazasının mürəkkəbləşməsi hesabına konstruksiyanın mürəkkəbliyi, xarici birləşmələrin sayı və elektron aparatın həcmi kəskin azalır. Mikroelektronikanın sonraki inkişafı şaqııli inteqrasiya yolu ilə gedir. Bu isə bir kristalında 107-yə qədər element olan böyük inteqral sxemlərin hazırlanmasını nəzərdə tutur.


R. Hümbətov, Elektronika



Mikroelektronika nədir?

 Mikroelektronika bərk cisim fizikasının, texnologiyanın, mikrosxem texnikasının və sistemotexnikanın nailiyyətlərinə əsaslanan, sürətlə inkişaf edən elm və texnika sahəsidir.

Müasir hesablama texnikasının, robot texnikasının, idarəetmə və informatika sistemlərinin element bazasını məhz mikroelektronika təşkil edir. Mikroelektronika fiziki, kimyəvi, texnoloji, sxemotexniki və kibernetik tədqiqatlarla yanaşı, yüksək etibarlılığa, kiçik qabaritlərə və yüksək səmərəliliyə malik qurğuların konstruksiyasının işlənməsini və istehsalını özündə cəm edir.

Mikroelektronikanın inkişafında əldə edilən ən böyük nailiyyətlər inteqral mikrosxemlərin işlənib hazırlanması və sənaye miqyasında istehsal edilməsidir, inteqral mikrosxem- lər konstruktiv cəhətdən vahid bir qovşaq və blok şəklində işlənmiş funksional (müəyyən bir funksiyanı yerinə yetirən) qurğulardır, inteqral mikrosxemlər mikroelektronikanın əsas məmulatları kimi müxtəlif elektron aparatlarının qurulmasında geniş istifadə edilir və getdikcə diskret cihazlarda (tranzistorlarda, diodlarda və s.) yığılmış blok və qovşaqları istifadədən sıxışdırıb çıxarır.

Son illər mikroelektronikada böyük və ifrat böyük inteqral mikrosxemlər əsasında qurulmuş mikroprosessorlu sistemlər və mikro EHM-lər də geniş tətbiq edilir.

Məhz bu baxımdan bu və ya digər həcmdə elektronikanın əsaslarını öyrənənlər üçün mikroelektronikanın əsas nailiyyətləri haqqında biliklərin əldə edilməsi vacibdir.

Bu bölmədə çox yığcam bir şəkildə mikroelektronika- nın əsas inkişaf istiqaməti—inteqral mikrosxemlərin işlənib hazırlanması haqqında məlumat verilir. Mikroelektronikanın əsasları haqqında biliklərin əldə olunması elektron aparatların yaradılması zamanı element bazasının seçilib istifadə edilməsinə kömək göstərə bilər.


Ramiz Hümbətov, Elektronika

Monday, May 10, 2021

İzləyici sayı

Axtarış

Diqqət!

Müəllifin adı və ya blogun linkini istinad göstərmədən paylaşmaq, özünküləşdirmək qəti qadağandır. Sizə olunan yaxşılıqları qiymətləndirməyi bacarın.
Hörmətlə: Səfa Məcidov