Planar texnologiya ilə diodlar da yuxarıdakı qaydada hazırlana bilər. Lakin konstruktiv-texnoloji baxımdan sərfəli olduğuna görə diod kimi adətən inteqral tranzistorların emitter və kollektor keçidləri istifadə olunur. Diod kimi istifadə olunan inteqral tranzistorlar 5 müxtəlif sxem üzrə qoşulur (şəkil 10.10). Kollektor keçidi əsasında alman diodlar (şəkil 10.10 ç, d) ən böyük buraxda bilən əks gərginliyə (SOV) malikdir. Emitter keçidində alman diodlarm iş sürəti böyük, əks cərəyanının qiyməti isə ən kiçik olur. Kollektor keçidi qısa qapanmaqla emitter keçidi əsasında alman diod (şəkil 10. 10с) stabilitron kimi işlədilir. Diodun tutumu (anod və katod arasında) istifadə olunan keçidin sahəsi ilə müəyyən edilir. Ona görə də tutumun qiyməti hu keçidlər paralel qoşulanda (şəkil lO.lOç) maksimal olur. Altlıqla element arasında yaranan parazit tutum anodu və ya katodu "yerə" şuntlaya bilər, çünki altlıq "yerə" birləşmiş (torpaqlanmış) olıır. Emitter keçidində alman diodlarda bıı tutum dalıq kiçik olıır.
Diodun açıq vəziyyətdən bağlı vəziyyətə keçirilməsi müddəti (əks—cərəyanın bərpa müddəti) kollektor keçidi qısa qapanmaqla emitter keçidində alman diodlarda minimal olur, çünki burada yüklər yalnız baza qatında yığılır (kollektor keçidi qısa qapanmışdır şəkil 10.10c). Digər variantlarda yüklər lıəm bazada, həm də kollektorda yığılır və onların sorulub aparılması üçün daha çox vaxt tələb olunur. Göstərilən variantlardan emitter dövrəsində alınan diodlar (şəkil 10.10 c,ç) optimal hesab olunur. Ən çox istifadə olunan kollektor keçidi qısa qapanmaqla emitter keçidində alınan dioddur.
Mənbə: R. Hümbətov, Elektronika