İnteqral rezistorlar 3 mkm-ə qədər nazik yarımkeçirici qat kimi olur. Onları altlığın digər adacıqlarında yaradılan tranzistor strukturları ilə eyni zamanda formalaşdırmaq lazımdır. Belə rezistor dif- fuziya rezistoru adlanır. Rezistorlar da başqa elementlərlə bağlı p-n keçidləri vasitəsi ilə izolə edilir.
Praktikada ən çox yayılan üsul tranzistor strukturunun baza və ya emitter qatının diffuziya rezistoru kimi istifadə edilməsidir. Baza qatı üzərində böyük müqavimətli, emitter qatı üzərində isə kiçik müqavimətli rezistorlar alınır. Baza qatı əsasında alınan diffuziya rezistorunun strukturundan görünür ki, o, digər elementlərdən ən azı iki əks qoşulmuş pn keçidlə izolə olunmuşdur (şəkil 10.11 a). Tətbiq edilən gərginliyin işarəsindən asılı olmayaraq qarşı-qarşıya qoşulmuş p-n keçidlər sistemi həmişə bağlı olur.
Dördbucaqlı formaya malik olan diffuziya rezistorunun müqaviməti belə təyin olunur:
Xüsusi səthi müqavimət təbəqəli rezistorların cərəyan keçirmə xüsusiyyətlərini xarakterizə edən mühüm kəmiyyətdir və o, kvadratın ölçülərindən asılı olmur. Onun ölçü vahidi Om/kvadratdır (Om/m). Bipolyar tranzistorun emitter qatı əsasında alman diffuziya rezistorunun da (şəkil 10.1 lb) müqaviməti yuxarıdakı qayda ilə təyin edilir. Baza qatı əsasında alman diffuziya rezistorlarınm xüsusi, səthi, müqaviməti. 100-300 Om/kvadrat, emitter qatı əsasında, alınan rezistorunki isə 0,5 Om/kvadrat həddində olur. Adətən, belə rezistorların müqavimətlərinin qiyməti 10 Om-dan 50 kOm-a qədər, sahəsi isə 0,125 mrnf olur ki, bu da inteqral tranzistorun tutduğu sahədən 40-50 dəfə çoxdur, p-n keçidlərlə izolə olunmuş diffuziya rezistorlaıı 20 Mhs-ə qədər tezlikdə işləyə bilir. .Metal-oksid-yarımkeçirici strukturlarda rezistor kimi MOY tranzistorları istifadə olunur (şəkil 10.11c). Burada kanal rezistiv cərəyan axıdan cığır kimi təsvir edilir və en kəsiyi yuxarıdan n tipli aşqarlı diffuziya həyata keçirməklə kiçildilir. Bu rezistorlar qeyrixətti xarakteristikaya malik olurlar və onlara PINÇ-rezistorlar deyilir.
