Hazırlanma texnologiyasına görə inteqral mikrosxemlər 3 yerə — уarım keçirici, təbəqəli inteqral mikrosxemlərə və mikroyığımlara bölünür. Təbəqəli inteqral mikrosxemlər nazik təbəqəli (1-2 mkm) və qalın təbəqəli (10-20 mkm) olurlar və bunların tərkibində həm elementlər, həm də komponentlər olduğundan onlara hibrid inteqral mikrosxemlər deyilir.
Yarımkeçirici inteqral mikrosxemlərdə bütün aktiv (tranzistor, diod və s.) və passiv (rezistor, kondensator) elementlər və onların birləşmələri vahid ilkin yarımkeçirici kristalda biri-birindən ayrılması mümkün olmadan əlaqələndirilmiş p-ıı keçidlərin birliyi kimi hazırlanır. Burada həcmində və səthində planar texnologiya ilə mikrosxemlərin elementləri və təmas sahələri yerləşdirilmiş yarımkeçirici kristal aktiv rol oynayır (şəkil 10.3).
Hibrid mikrosxemlərdə bütün passiv elementlər dielektrik əsasın (altlığın) səthində birqatlı və ya çoxqatlı strukturlar şəklində hazırlanır və bir- birilə nazik təbəqə şəkilli məftillərlə biriəşdirilir (şəkil 10.4), yarımkeçirici cihazlar və başqa komponentlər (miniatür çini konsdensatorlar, induktivliklər) isə altlığın üzərində diskret detallar kimi yerləşdirilir (şəkil 10.5). Kristalın səthinə toz halında səpələnən təbəqələr heç cür tranzistor tipli aktiv element yaratmağa imkan vermədiyindən belə inteqral mik- rosxemlərdə inteqral texnologiya ilə yalnız passiv elementlər almır. Bu texnologiya həm də təbəqəli texnologiya adlanır. Sırf təbəqəli inteqral sxemlərin yerinə yetirdiyi funksiyalar məhdud olduğundan onların imkanları diskret kom ponentlərin əlavə altlıq üzərində yerləşdirilməsi ilə artırılır. Diskret komponentlərin təbəqələri elementlərlə birləşmə sindən qarışıq təbəqəli diskret (hibrid) inteqral mikrosxem əmələ gəlir.