MDY - tranzistorlar

 MDY - tranzistorlar

p-n keçidli tranzistorlarda idarəedici elektrod cərəyan keçirən kanalın keçidə yaxın yerləşən qatı ilə bilavasitə təmasda olur.

Onlardan fərqli olaraq MDY-tranzistorlarda idarəedici elektrod həmin qatdan dielektrik qatı vasitəsi ilə izolə edilir. Ona görə MDY-tranzistorları izolə olunmuş idarəedici elek- trodlu tranzistorlar sırasına aid edirlər. MDY tranzistorlar silisiumdan hazırlanır, dielektrik kimi isə silisium oksidindən istifadə edilir. Bununla əlaqədar bu cihazların üçüncü adı yaranmışdır: MOY-tranzistorlar (metal, oksid, yarımkeçirici sözlərindən). Dielektrikin struktura daxil edilməsi tranzistorun giriş müqavimətini daha da artırır

MDY-tranzistorlarm iş prinsipi eninə yönəlmiş elektrik sahəsinin təsiri altında yarımkeçiricinin dielektriklə sərhəddə səthyanı qatının keçiriciliyinin dəyişməsinə əsaslanır. Yarımkeçiricinin səthyanı qatı MDY tranzistorlarda cərəyan keçirən kanal rolunu oynayır. MDY-tranzistorlar ümumi halda dördelektrodlu cihazlardır. Dördüncü elektrod rolunu əsas yarımkeçirici lövhəyə birləşdirən altlıq oynayır. MDY-tranzistorlar p və n kanallı olurlar. Onların müxtəlif tiplərinin şərti işarələri şəkil 7.5 də göstərilmişdir. n tipli qurama kanallı MDY-tranzistorun quruluşu şəkil 7.6 я-da göstərilmişdir. Əsas p tipli silisium lövhəsində difuziya texnologiyası ilə mənbə, mənsəb sahələri və n tipli kanal yaradılmışdır. Oksid qatı (SiO2) mənbə və mənsəbə yaxın səthləri mühafizə və idarəedici elektrodu kanaldan izolə etmək üçündür. Çox vaxt altlığın çıxışı mənbəyə qoşulur. Cihazın işləmə prinsipini quruluşuna və xarakteristikalarına əsasən araşdıraq. Mənsəb (çıxış) xarakteristikaları (şəkil 7.6 b) p-n keçidli tranzistorun xarakteristikalarına bənzəyir. UiMn=0 halı burada mənsəbin idarəedici elektrodla birləşməsinə uyğun gəlir. Bu halda xarici gərginlik mənbə-mənsəb sahəsinə müsbəti mənsəbə verməklə qoşulur. UiMn=0 olduğundan axan cərəyan kanalın ilkin keçiriciliyi ilə müəyyən edilir. 0- a sahəsində kanalda gərginlik düşgüsü kiçik, JMs(UMsMn) asılılığı isə xəttidir. ”b” nöqtəsinə yaxınlaşdıqca kanaldaki gərginlik düşgüsü onun eninə və keçiriciliyinə daha çox təsir göstərir (qırıq xətt) və a-b sahəsində əyrinin dikliyi azalır. ”b” nöqtəsindən sonra kanalın eni minimuma çatır, bu, cərəyanın artmasını məhdudlaşdırır və xarakteristikada az mailliyə malik II hissə əmələ gəlir.

UİMn<0 olanda onun sahəsi kanaldaki yükdaşıyıcıları(elektronları) itələyib kanaldan çıxarır, kanalda onların konsentrasiyası aşağı düşür və kanalın keçiriciliyi azalır. Belə gərginliklərə uyğun mənsəb xarakteristikaları UİMn=0 halına uyğun xarakteristikalardan aşağıda yerləşirlər. Tranzistorun UİMn<0 rejimində kanalda yükdaşıyıcılarm konsentrasiyası azaldığından bu rejimə kasıblaşma rejimi deyilir. UİMn>0 olduqda onun sahəsi yarımkeçiricinin p qatından elektronları kanala çəkib gətirir, onların kanaldaki konsentrasiyası və kanalın keçiriciliyi artır. Bu rejim zənginləşmə rejimi adlanır. Buna uyğun mənsəb xarakteristikaları ilkin (UiMn=0-a uyğun) əyridən yuxarıda yerləşir. Bu tranzistor üçün mənsəb-idarəedici elektrod gərginliyinin müəyyən həddi vardır ki, ondan sonra mənsəba yaxın olan mənsəb-idarəedici elektrod sahəsi deşilir. Deşilmə halına xarakteristikanın III sahəsi və Uhüdud mənsəb gərginliyi uyğun gəlir. UiMn<0 olanda UiMs gərginliyi artır və bu halda deşilmə daha kiçik UMsMn gərginliyində baş verir. Giriş xarakteristikası şəkil 7.6c də göstərilmişdir. Göründüyü kimi bu tranzistorlar həm kasıblaşma (UiMn<0), həm də zənginləşmə (UiMn>0) rejimlərində işləyə bilir. înduksiya edilmiş kanallı MDY-tranzistorlarda cərəyan keçirən kanal əvvəlcədən hazırlanmır. Burada kanal idarəedici elektroda mənbəyə nisbətən müsbət gərginlik veriləndə elektronların yarımkeçirici lövhədən axıb gəlməsi hesabına yaradılır, daha doğrusu süni induksiya edilir (şəkil 7.7 a). Elektronların belə axını sayəsində səthyanı sahədə yarımkeçiricinin elektrik keçiriciliyi artır və başqa sözlə mənbə ilə mənsəbi birləşdirən n tipli cərəyan keçirən kanal yaranır. İdarəedici elektroda verilən müsbət gərginlik artdıqca kanalın keçiriciliyi artır. Beləliklə, bu tranzistor yalnız zənginləşmə rejimində işləyir. Mənsəb xarakteristikaları (şəkil 7.7b) forma və xarakterləri ilə əvvəlkilərə bənzəyir. Fərq ondadır ki, tranzistor polyarlığı UMSMn ilə eyni olan idarəedici elektrod gərginliyi ilə idarə olunur. Burada UiMn=0 olanda JMs=0 olur, halbuki qurma kanallı MDY-tranzistorda bunun üçün idarəedici elektrodun gərginliyinin işarəsini dəyişmə tələb olunur. Giriş xarakteristikası şəkil 7.7 c də göstərilmişdir. MDY-tranzistorlarm ekvivalent sxemi p-n keçidli sahə təsirli tranzistorun əvəz sxemi ilə eynidir. MDY-tranzistorlarin da üç qoşulma sxemləri mövcuddur: ümumi mənsəb, ümumi idarəedici və ümumi mənbə ilə qoşulma sxemləri.

Ümumi idarəedici elektrodlu sxem kiçik giriş müqavimətinə malik olduğundan praktikada çox az işlədilir, pn keçidli və MDY tipli tranzistorlarm dövrəyə qoşulma sxemləri şəkil 7.8-də göstərilmişdir.

Elektronika- Ramiz Hümbətov

Ardını oxu

Paylaş:    Facebook Twitter Google+ Stumble Digg

p-n keçidli unipolyar tranzistorlar

 p-n keçidli unipolyar tranzistorlar

Bu tranzistorun modelindən görünür ki, (şəkil 7.1 a) içərisindən cərəyan axan kanal iki p-n keçidi arasında yerləşmiş n tipli yarımkeçirici qatdan ibarətdir. Kanal cihazın xarici elektrodları ilə məftillə birləşdirilir. Yükdaşıyıcılarm (bu halda elektronların) hərəkətə başladığı elektroda mənbə (Mn), yükdaşıyıcılarm gəlib çatdığı elektroda isə mənsəb (Ms) deyilir, p tipli yarımkeçirici qatlar n qatma nisbətən daha yüksək aşqar konsentrasiyasma malikdir. Hər iki p qatı biri-biri ilə birləşib bir xarici elektroda malik olur və buna idarəedici elektrod (İE) deyilir. Tranzistorun idarəedici xüsusiyyəti ondan ibarətdir ki, U(iM) dəyişdikcə yükdaşıyıcıları tükənmiş yarımkeçirici qatdan ibarət hər iki p-n keçidin eni dəyişir, p qatında aşqarın konsentrasiyası daha yüksək olduğundan p-n keçidin eninin dəyişməsi əsasən daha böyük müqavimətli qat hesabına baş verir (Erli effekti). Bunun nəticəsində cərəyan keçirən kanalın en kəsiyi, onun keçiriciliyi və tranzistorun çıxış cərəyanı J(Ms) dəyişir.

Elektronika- Hümbətov Ramiz

Ardını oxu

Paylaş:    Facebook Twitter Google+ Stumble Digg

UNİPOLYAR TRANZİSTORLAR

 UNİPOLYAR TRANZİSTORLAR

İş prinsipi yalnız bir işarəli yükdaşıyıcılarm (elektronların və ya deşiklərin) istifadə olunmasına əsaslanan tranzistorlara unipolyar tranzistorlar deyilir. Bu tranzistorlarda cərəyan həmin cərəyanın axdığı kanalın keçiriciliyinin elektrik sahəsi vasitəsi ilə dəyişdirilməsi yolu ilə idarə olunur. Məhz buna görə bu tranzistorları həm də sahə təsirli tranzistorlar adlandırırlar.

Bipolyar tranzistorlara nisbətən bu cihazların hazırlanma texnologiyası daha mükəmməldir, ayrı-ayrı nüsxələrinin parametrləri biri-birinə daha yaxın olur və dəyəri də kiçikdir. Bu tranzistorlar yüksək giriş müqavimətinə malik olurlar.

Cərəyan keçirən kanalın yaradılması üsuluna görə bu tranzistorlar 3 qrupa bölünür: 1) p-n keçidli; 2) qurama kanallı; 3) induksiya edilmiş kanallı tranzistorlar.

2-ci və 3-cü qrup tranzistorlara MDY-tranzistorlar (metal, dielektrik və yarımkeçirici sözlərinin ilk hərflərindən) deyilir.

Ardını oxu

Paylaş:    Facebook Twitter Google+ Stumble Digg

Bipolyar tranzistorun ekvivalent sxemləri və parametrlər sistemi

 Bipolyar tranzistorun ekvivalent sxemləri və parametrlər sistemi

Tranzistorun xarakteristikalarından əsasən iş rejimini təyin etmək və sxemlərin işini böyük siqnallar halında qrafiki təhlil etmək üçün istifadə edilir. Sxemlərin işini kəmiyyətcə qiymətləndirmək üçün tranzistor sxemlərinin analitik hesabat üsullarında ekvivalent sxemlərdən istifadə olunur. Bu sxemlər dəyişən cərəyan rejimində tranzistorun kiçik siqnallı parametrlərinin struktur əlaqələrini təsvir edir. Tranzistorun kiçik siqnallı ekvivalent sxemləri xətti dövrələrdən ibarət olub iki böyük qrupa bölünür:

1) tranzistorun fiziki xüsusiyyətlərini, strukturunu və həndəsi modelini nəzərə almaqla qurulan ekvivalent sxemlər; 

2)tranzistorun xüsusiyyətlərini aktiv dördqütblü kimi təsvir edən ekvivalent sxemlər (formal ekvivalent sxemlər).

Birinci qrup sxemlər tranzistorun daxili (fiziki) parametrləri, ikinci qrup sxemlər isə dördqütblünün xarakteris- tik parametrləri ilə xarakterizə olunur. Hər iki qrup sxem aktiv rejimdə işləyən tranzistor sxemlərinin təhlilində istifadə olunurlar. Tranzistorun daxili parametrlərinə əsaslanan ekvivalent sxemlər tranzistorun parametrlərinin tranzistorlu sxemin işinə təsirini çox aydın və əyani şəkildə öyrənməyə imkan verir. Ümumi bazali və ümumi emitterli qoşulma sxemləri üçün gücləndirmə rejimində işləyən tranzistorlu sxemlərin cərəyan və gərginliklərinin dəyişən toplananları üçün ekvivalent sxemi araşdıraq. Belə sxemlər tranzistorun giriş və çıxış xarakteristikalarının xətti hissələri üçün tərtib olunur. Bu halda tranzistorun parametrlərinin dəyişmədiyi hesab olunur və tranzistorun gərginlik və cərəyanın kiçik artımlarına aid olan diferensial parametrlərindən istifadə edilir. Belə halda tranzistorun strukturunu ən dəqiq təsvir edən Tşəkilli ekvivalent sxemdir. Ümumi bazali qoşulma sxeminin T-şəkilli ekvivalent sxemi (şəkil 6.1 З a) iki konturdan ibarətdir: giriş (emitterbaza) dövrəsinə aid sol və çıxış (kollektor-baza) dövrəsinə aid sağ kontur. rb müqavimətli baza dövrəsi hər iki kontur üçün ümümi olur.

Ekvivalent sxemə daxil olan parametrlər belə xarakterizə olunur. Düz istiqamətdə qoşulmuş emitter keçidinin diferensial müqaviməti:

arasında əlaqəni nəzərə almağa imkan verir. Emitter qatının həcmi müqaviməti və emitterin çıxış məftilinin müqaviməti kiçik olduğundan ekvivalent sxemdə nəzərə alınmır. re-nin qiyməti . Je-in sabit toplananlarından asılıdır: re=(fi t/Ie=0,025/Je. Bu müqavimət bir neçə Omdan onlarla Oma qədər ola bilər. Bazanın həcmi müqaviməti rb baza cərəyanının baza qatında emitterdən başlayaraq hərəkət etdiyi istiqamətdə təyin edilir. Adətən rb >re tranzistorun tipindən asılı olaraq 100-400 Om həddində olur. alfa ie ekvivalent cərəyan mənbəyi baza qatından kollektora axan emitter cərəyanının tranzit toplananını (cərəyanın emitterdən kollektora ötürülməsini) nəzərə alır. Əks istiqamətdə qoşulmuş kollektor keçidinin differensial müqaviməti:

Yuxarıda qeyd edildiyi kimi bu müqavimət baza modulyasiyası nəticəsində Ukb-nin dəyişməsindən kollektor cərəyanının dəyişməsini nəzərə alır və 0,5-1 MOm həddində olur. Giriş dövrəsinin epsilon Ukb gərginlik mənbəyi tranzistordakı daxili müsbət əks əlaqəni ifadə edir və kollektor gərginliyinin dəyişməsinin təsirindən girişdə gərginliyin dəyişməsini təsvir edir. £=10'4-10'3 olduğundan çox vaxt bu mənbəyi ekvivalent sxemə daxil etmirlər. Emitter və kollektor keçidlərinin Се(b) və Сk(b) tutumları uyğun keçidlərin sədd və diffuziya tutumlarının cəminə bərabərdir. Sədd tutumu keçidə verilən gərginliyin işarəsindən asılı olduğundan (məsələn düz qoşulmada emitter keçidində sədd tutumu əks qoşulma halından çoxdur) emitter keçidinin sədd tutumu kollektor keçidinin sədd tutumundan çoxdur.

Diffuziya tutumu isə keçiddə gərginliyin dəyişməsindən bazada yüklərin dəyişməsi ilə xarakterizə olunur. Bazada yüklərin emitter keçidindəki gərginliyin təsirindən dəyişməsi yük daşıyıcılarının bazaya injeksiyası ilə, kollektor keçidindəki gərginliyin təsirindən dəyişməsi isə Erli effekti ilə əlaqədardır. Bazada yükün eyni bir qiymətdə dəyişməsi üçün kollektor keçidindəki gərginliyin dəyişməsi emitter keçidindəki gərginliyin dəyişməsindən çox asılıdır. Bu o deməkdir ki, emitter keçidinin diffuziya tutumu kollektor keçidinin diffuziya tutumundan çoxdur. Ce(b) və Ck(b) tutumlarının qiymətləri tranzistorun növündən asılıdır: yüksək tezlikli tranzistorlarm hər iki tutumu alçaq tezlikli tranzistorlardan kiçikdir. Diffuziya (əsasən) tutumunu ifadə edən Ce(b) tutumu bir neçə yüz pikofa- rad, sədd tutumu ilə müəyyən edilən Сk(b) tutumu isə bir neçə on piko farad həddində olur.

Belə fərqlənmələrinə baxmayaraq Сk(b) tutumu yüksək tezliklərdə tranzistorun işinə daha qüvvətli təsir göstərir. Bu onunla əlaqədardır ki, Ce(b) kiçik re müqaviməti ilə,

Elektronika- Hümbətov Ramiz

Ardını oxu

Paylaş:    Facebook Twitter Google+ Stumble Digg

İş rejiminin və temperaturun bipolyar tranzistorun parametrlərinə təsiri

 İş rejiminin və temperaturun bipolyar tranzistorun parametrlərinə təsiri

Tranzistorun əsas parametrlərinə onun iş rejimini xarakterizə edən kəmiyyətlər (kollektor cərəyanı və gərginliyi, siqnalın tezliyi) və ətraf mühitin temperaturu müəyyən təsir göstərir. 

Elektronika- Ramiz Hümbətov

Ardını oxu

Paylaş:    Facebook Twitter Google+ Stumble Digg

Bipolyar tranzistorun dinamik rejimi və dinamik xarakteristikaları

 Bipolyar tranzistorun dinamik rejimi və dinamik xarakteristikaları

Bundan əvvəl qeyd edilmişdi ki, qoşulma sxemlərinin içərisində ən geniş yayılanı ümumi emitterli sxemdir. Bipolyar tranzistorun dinamik rejimini belə sxem əsasında araşdıraq. Dinamik rejimdə giriş siqnal mənbəyi Um baza dövrəsinə, Rk isə kollektor dövrəsinə qoşulur (şəkil 6.9).

Nəzərdə tutmaq lazımdır ki, yalnız çıxış dövrəsində yük müqavimətinin olması gərginliyə və gücə görə gücləndirmə əldə etməyə imkan verir. Sxemdən görünür ki, baza cərəyanının dəyişməsi nəinki kollektor cərəyanını, həm də kollektordakı gərginliyi dəyişdirir. Çünki kollektordakı gərginlik və cərəyan bir-birilə aşağıdakı ifadə ilə bağlıdırlar:

Tranzistorun belə rejimi dinamik rejim, bu rejimdə cərəyanlarla gərginliklər arasındakı asılılıqları göstərən xarakteristikalara isə dinamik xarakteristikalar deyilir. Dinamik xarakteristikalar Ek mənbəyinin gərginliyinin və Rk müqavimətinin verilmiş qiymətlərində statik xarakteristikalar ailəsi (sorğu kitablarında hər bir tranzistor üçün verilir) üzərində qurulur. Çıxış (kollektor) dinamik xarakteristikasını qurmaq üçün yuxarıdakı düz xətt tənliyindən istifadə edilir. Bu düz xəttin cərəyan və gərginlik oxlarından ayırdığı parçalan tapmaq üçün tənlikdə müvafiq olaraq Јк =0 və Uk=Ek yazaraq Uke=Ek və Jk=Ek/Rk tapılır. 

Müvafiq oxlarda Ек və Ek/Rk parçalanm ayıraraq alman nöqtələrdən AG xətti çəkilir. Bu düz xəttə yük xətti və onun statik xarakteristikalarla kəsişmə nöqtələrinin həndəsi yerinə dinamik çıxış xarakteristikası deyilir (şəkil 6Л0а). Bu xarakteristikanın köməyi ilə kollektor cərəyanının istənilən qiymətinə uyğun kollektor gərginliyinin və onunla əlaqədar olan baza cərəyanının qiymətini tapmaq olar. Yük xəttini həm də (fi=argtg Rk bucağı altında G nöqtəsindən çəkmək olar. Bazadakı Ube (giriş) gərginliyini tapmaq üçün giriş dinamik xarakteristikası qurulur.

Bunun üçün çıxış dinamik xarakteristikası üzərindəki nöqtələrə uyğun Jb2 və Uke-nin qiymətlərini giriş statik xarakteristikaları ailəsi üzərinə köçürmək lazımdır (şəkil 6.10 a). Bu nöqtələrin absisləri müvafiq baza gərginliklərini verir. CD xətti giriş dinamik xarakteristikasının bir hissəsidir. Yük xəttinin Jb2=Job cərəyanına uyğun statik xarakteristika ilə kəsişdiyi nöqtəyə (şəkil 6.10 b) işçi nöqtə və bu nöqtənin girişdə siqnal olmayanda ilkin haldakı vəziyyətinə isə sakitlik nöqtəsi (p) deyilir. Bu nöqtənin vəziyyəti sürüşmə mənbəyinin (Eb) gərginliyi ilə müəyyən edilir. Sakitlik nöqtəsinə görə kollektor (çıxış) dövrəsinin Jok sakitlik cərəyanı və Uok sakitlik gərginliyi təyin edilir. Bu halda dinamik rejim tənliyi Uok= Ек- Јок Rk olur. Sakitlik nöqtəsinin vəziyəti sxemin təyinatı ilə, giriş siqnalının qiyməti və forması ilə müəyyən edilir. Əgər giriş siqnalı simmetrikdirsə (məsələn şəkil 6.10 b də sinusoidal Ubm), onda sakitlik nöqtəsini yük xəttinin təxminən ortasında seçirlər. Bu zaman kollektor dövrəsindən Jkm cərəyanı axır və kollektordakı gərginliyin amplitudu Ukm olur. Əgər tranzistorun çıxış dövrəsinə xarici yük Ry qoşulsa(şəkil 4.9-da qırıq xətlə göstrilib) kollektor dövrəsinin dəyişən cərəyana görə ümumi müqaviməti Ry=RkRy/(Rk+Ry) olacaqdır. Bu halda dinamik xarakteristikan sakitlik nöqtəsindən (fi=arctgRy bucağı keçirmək lazımdır (şəkil 6.10 a qırıq xətt). Əgər tranzistorun iş rejimində işçi nöqtə yük xəttinin BF sahəsindən kənara çıxmırsa, belə rejimə xətti və ya gücləndirmə rejimi deyilir. Bu rejimdə baza (giriş) cərəyanını dəyişməsindən dəyişir (şəkil 6.11, 1-ci hisse) Əgər giriş cərəyanı Jbmax (B nöqtəsi) qiymətini alarsa, onun sonrakı artımı kollektor cərəyanını artırmır, kollektor cərəyanı doyma Jkd qiymətini alır. Bu halda kollektordakı gərginlik Uked=0,l - 0,3B həddində olur və ona göгә Uked < Ek almır. Bu, tranzistorun doyma rejiminə uyğun gəlir, bu halda tranzistorun hər iki keçidi düz qoşulmuş olur və tranzistoru qapalı açar kimi təsvir etmək olar.

Şəkil 6.1. Bipolyar tranzistorun iş rejimi

Elektronika - Hümbətov Ramiz

Ardını oxu

Paylaş:    Facebook Twitter Google+ Stumble Digg

Bipolyar tranzistorların qoşulma sxemləri və statik xarakteristikaları

 Bipolyar tranzistorların qoşulma sxemləri və statik xarakteristikaları

Elektrik dövrəsində tranzistor adətən elə qoşulur ki onun elektrodlarından biri giriş, ikincisi çıxış elektrodu, üçüncüsü isə giriş və çıxış dövrələri üçün ümumi elektrod olur. Giriş elektrodunun dövrəsinə dəyişən siqnal mənbəi} çıxış elektrodunun dövrəsinə isə yük müqaviməti qoşulur. Hansı elektrodun giriş və çıxış dövrələri üçün ümumi olmasından asılı olaraq tranzistorun üç qoşulma sxemi mövcuddur: ümumi baza ilə qoşulma, ümumi emitterlə qoşulma, ümumi kollektorla qoşulma (şəkil 6.4). Hər bir qoşulma sxemi iki statik xarakteristikalar ailəsi ilə xarakterizə olunur.

Çıxış statik xarakteristikaları ümumi emitterli sxemə uyğundur, yalnız kollektor cərəyanını emitter cərəyanı ilə əvəz etmək lazımdır. Giriş xarakteristikaları da ümumi emitterli sxemdəkilə eynidirlər, lakin onlar giriş gərginliyi rolunu oynayan kollektor keçidindəki gərginliyin qiyməti qədər sağ tərəfə sürüşdürülürlər. Sxemin keçid və tezlik xüsusiyyətləri ümumi emitterli sxemə uyğundur.

Sxem cərəyana və gücə görə gücləndirmə verir, gərginliyə görə isə gücləndrmə vermir, çünki çıxış gərginliyinin dəyişən toplananı giriş gərginliyinin dəyişən toplananından həmişə az olur. Sxemin cərəyana görə ötürmə əmsalı Je/Jb-dır. Bu sxemə bəzən emitter təkrarlayıjısı da deyilir və onun xüsusiyyətləri gələcək bölmələrin birində təfsilatilə veriləcəkdir.

n-p-n tipli tranzistorlarm uyğun qoşulma sxemlərində gərginlik mənbələrinin işarələri hər yerdə əksinə dəyişdirilməlidir.

Elektronika- R. Hümbətov

Ardını oxu

Paylaş:    Facebook Twitter Google+ Stumble Digg

Tranzistorun iş prinsipi

 Tranzistorun iş prinsipi

Tranzistorun iş prinsipini p-n-p tipli cihazın misalında öyrənək. Xarici gərginlik mənbəyi olmayanda yükdaşıyıcılarının konsentrasiyasının və həcmi yüklərin yaratdığı potensial fərqinin paylanması şəkil 6.2-də göstərilmişdir.

Elektronika- R.Hümbətov

Ardını oxu

Paylaş:    Facebook Twitter Google+ Stumble Digg

Bipolyar tranzistorlar

 Bipolyar tranzistorlar

İki p-n keçidə malik olan və üç qatlı yarımkeçirici strukturdan ibarət cihaza bipolyar tranzistorlar deyilir. Qatların bir-birinin ardınca yerləşməsi ardıcıllığından asılı olaraq onların iki növü p-n-p (şəkil 6.1a) və n-p-n (şəkil 6.1 b) olur. Bu cür tranzistorlar əritmə və ya diffuziya üsulu ilə yuxarıda izah edilən texnologiya əsasında əsasən silisiumdan və germaniumdan hazırlanır. "Bipolyar" sözü cihazda cərəyanın hər iki işarəli yük- daşıyıcıların (elektron və deşik) hərəkəti nəticəsində yaranması ilə əlaqədardır. Yarımkeçirici strukturda əsas (baza) rolunu orta qat oynayır. 

Kənar qatlar donor və ya akseptor aşqarlarının diffuziyası (və ya əridilməsi) yolu ilə yaradılır. Bu qatların biri emitter, digəri isə kollektor adlanır. Müvafiq keçidlər də həmin adları daşıyır. Emitter keçidi yük daşıyıcıları bazaya injeksiya edir, kollektor keçidi isə bazadan keçib gedən yükdaşıyıcıları yığır (ekstraksiya edir). Emitterin injeksiya etdiyi bazadan keçən daşıyıcıların hamısını yığmaq üçün kollektor keçidinin sahəsi emitter keçidinin sahəsindən çox olur (şəkil 6.1c).

Elektronika- R. Hümbətov

Ardını oxu

Paylaş:    Facebook Twitter Google+ Stumble Digg