Kitabın hər iki hissəsi bir pdf şəklində yığılmışdır. Kitabı yükləmək üçün "daxil ol və yüklə" linkinin üzərinə bir dəfə klikləyin.
Elm paylaşılaraq çoxalar..... Hər birinizə uğurlar arzulayıram..
Hörmətlə: Səfa Məcidov Bəfa oğlu
Səfa Məcidovun platforması
Kitabın hər iki hissəsi bir pdf şəklində yığılmışdır. Kitabı yükləmək üçün "daxil ol və yüklə" linkinin üzərinə bir dəfə klikləyin.
Elm paylaşılaraq çoxalar..... Hər birinizə uğurlar arzulayıram..
Hörmətlə: Səfa Məcidov Bəfa oğlu
Hazırlanma texnologiyasına görə inteqral mikrosxemlər 3 yerə — уarım keçirici, təbəqəli inteqral mikrosxemlərə və mikroyığımlara bölünür. Təbəqəli inteqral mikrosxemlər nazik təbəqəli (1-2 mkm) və qalın təbəqəli (10-20 mkm) olurlar və bunların tərkibində həm elementlər, həm də komponentlər olduğundan onlara hibrid inteqral mikrosxemlər deyilir.
Yarımkeçirici inteqral mikrosxemlərdə bütün aktiv (tranzistor, diod və s.) və passiv (rezistor, kondensator) elementlər və onların birləşmələri vahid ilkin yarımkeçirici kristalda biri-birindən ayrılması mümkün olmadan əlaqələndirilmiş p-ıı keçidlərin birliyi kimi hazırlanır. Burada həcmində və səthində planar texnologiya ilə mikrosxemlərin elementləri və təmas sahələri yerləşdirilmiş yarımkeçirici kristal aktiv rol oynayır (şəkil 10.3).
Hibrid mikrosxemlərdə bütün passiv elementlər dielektrik əsasın (altlığın) səthində birqatlı və ya çoxqatlı strukturlar şəklində hazırlanır və bir- birilə nazik təbəqə şəkilli məftillərlə biriəşdirilir (şəkil 10.4), yarımkeçirici cihazlar və başqa komponentlər (miniatür çini konsdensatorlar, induktivliklər) isə altlığın üzərində diskret detallar kimi yerləşdirilir (şəkil 10.5). Kristalın səthinə toz halında səpələnən təbəqələr heç cür tranzistor tipli aktiv element yaratmağa imkan vermədiyindən belə inteqral mik- rosxemlərdə inteqral texnologiya ilə yalnız passiv elementlər almır. Bu texnologiya həm də təbəqəli texnologiya adlanır. Sırf təbəqəli inteqral sxemlərin yerinə yetirdiyi funksiyalar məhdud olduğundan onların imkanları diskret kom ponentlərin əlavə altlıq üzərində yerləşdirilməsi ilə artırılır. Diskret komponentlərin təbəqələri elementlərlə birləşmə sindən qarışıq təbəqəli diskret (hibrid) inteqral mikrosxem əmələ gəlir.
Mikroelektronika elektronikanın yeni tipli cihazların —inteqral mikrosxemlərin tədqiqi, işlənib hazırlanması və tətbiqini əhatə edən bir bölməsidir.
Mikroelektronika elektron qurğularının etibarlığının artırılması, kütləsinin, ölçülərinin və maya dəyərinin azaldılması problemlərini həll edir.
Mikroelektronikanın əsasını elektron komponentlərin inteqralprinsiplə hazırlanması və tətbiq edilməsi təşkil edir. Burada hər bir komponent ayrıca götürülmüş tranzistor, diod, rezistor, və s. deyil, onların bir-birindən ayrılmaz birləşməsidir. Belə birləşmə elektron aparatının hər hansı qovşağı, bloku və ya qurğusu ola bilər. Ona görə də mikro- elektronikanın komponentlərinə inteqral mikrosxem və ya sadəcə olaraq mikrosxem deyilir.
inteqral mikrosxem müəyyən məlumat çevrilməsi funksiyasını yerinə yetirən vahid daşıyıcı konstruksiya-altlıq üzərində vahid texnoloji dövrdə (eyni vaxtda) hazırlanan bir neçə qarşılıqlı birləşmiş komponentlər (diodlar, tranzis- torlar, rezistorlar, kondensatorlar) toplusuna deyilir.
Əgər inteqral mikrosxemin tərkibinə yalnız eyni tipli komponentlər (yalnız diodlar, yalnız tranzistorlar və s.) daxil olarsa, onu həmin komponentlərin yığımı adlandırırlar.
inteqral sxem termini ayrı-ayrı komponentlərin birləşməsini (inteqrasiyasını) və həm də ayrı-ayrı komponentlərə nisbətən qurğunun yerinə yetirdiyi funksiyaların mürəkkəbləşməsini əks etdirir.
Inteqral sxemin tərkibinə daxil olan və buna görə də ondan müstəqil məmulat kimi ayrıla bilməyən komponentlərinə inteqral elementlər və ya inteqral sxemin elementləri deyilir. Onları adi tranzistorlardan, rezistorlardan və s fərqləndirən cəlıət odur ki, adi elementlər ayrı-ayrı konstruktiv vahidlər kimi hazırlanır və bundan sonra qalaylamaq yolu ilə sxemə birləşdirilir. Bu elementlərə diskret komponentlər, onların əsasında qurulan elektron sxemlərinə isə diskret sxemlər deyilir.
Elektronikanın inkişafı prosesində elektron aparatının yerinə yetirdiyi funksiyaların aramsız mürəkkəbləşməsi, sxemlərin etibarlılığının artırılması, kütləsinin, ölçülərinin, gücünün və maya dəyərinin azaldılması zərurəti yeni element bazası yaratmaq məsələsini qarşıya çıxarmış və inteqral sxemlərin yaranmasına təkan vermişdir.
inteqral sxemlərin hazırlanmasının əsasını 50-ci illərin axırında diskret tranzistorların hazırlanmasında istifadə edilən qrup üsulu və planar texnologiya təşkil edir.
Komponentlərin bir altlıq üzərində texnoloji inteqrasiyası ideyası məhz tranzistorların qrup üsulu ilə hazırlanmasından irəli gəlmişdir. Qrup üsulunda 25—40 mm diametrli silisium və ya germanium lövhəsinin üzərində bərabər paylanmış çoxlu tranzistor eyni vaxtda hazırlanır (şəkil 10.1 a). Sonra lövhə üfüqi və şaquli surətdə yüzlərlə ayrı- ayrı, hərəsi bir tranzistordan ibarət kristallara bölünür (şəkil lO.lb). Daha sonra kristallar xarici çıxışları olan gövdəyə yerləşdirilir və istifadə üçün sifarişçiyə göndərilir (şəkil lO.lc). Sifarişçi ayrı-ayrı komponentləri biri-biri ilə qalaylamaqla birləşdirir və funksional qovşaq (gücləndirici, yaddaş qurğusunun yuvasını və s.) əldə edir.
İnteqrasiya ideyası ondan ibarətdir ki, ilkin ayrı-ayrı tranzistorlar əvəzinə eyni zamanda bir çox “komplektlər” hazırlanır. Bu “komplektlərin ” hər biri funksional qovşağı qurmaq üçün tələb olunan komponentlərdən - diodlardan, tranzistorlardan, rezistorlardan və s. ibarət olur (şəkil 10.2a). Bu komponentlər bir-birilə məftillərlə və qalayla yox, lövhənin səthinə “üfürülmüş” nazik qısa metal zolaqlarla. birləşdirilir. Beləliklə, hər “komplekt” hazır inteqral sxemdən ibarət olur (şəkil 10.2b). Lövhənin səthində bərabər paylanmış inteqral sxemlər ayrı-ayrı kristallara bölünür və gövdələrə yerləşdirilir (şəkil 10.2c). Bu halda konstruktiv cəhətdən vahid elektron cihazı şəklində hazır funksional qovşaq alınmış olur.
Elementləri bir-biri ilə nazik metal zolaqlarla birləşdirmək üçün elektrodların hamısının çıxışı bir müstəvidə —lövhənin səthində yerləşməlidir. Belə imkanı xüsusi planar texnologiya yaradır. Təbiidir ki, qrup üsulu ilə birlikdə mikroelektronika planör texnologiyam da inteqral sxemlərin hazırlanmasında istifadə etmişdir.
Göründüyü kimi inteqral sxemlər əsasında elektron aparatları işlənib hazırlanarkən cihazın etibarlılığını azaldan çoxlu qalaylanan birləşmələr aradan çıxır, hər elementin gövdəsi və çıxışı olmadığından cihazın kütləsi, ölçüləri və çoxlu yığma və montaj əməliyyatlarına lüzum qalmadığından qurğunun dəyəri azalır. Müasir qrup texnologiyası əsasında hərəsinin 200 minə qədər elementi olan bir neçə min inteqral sxemi, yəni bir neçə milyon elementi eyni vaxtda. hazırlamaq mümkündür. Özü də bu elementlərin hamısı adi tranzistorun hazırlanmasında olduğu kimi sadə p-n keçidlərin formalaşdırılması yolu ilə hazırlanır. Bunun nəticəsində inteqral sxemlərin parametrlərinin oxşarlıq dərəcəsi artır, diskret elementlərdə yığılmış sxemlərə nisbətən etibarlıq çox-çox yüksəlir, element bazasının mürəkkəbləşməsi hesabına konstruksiyanın mürəkkəbliyi, xarici birləşmələrin sayı və elektron aparatın həcmi kəskin azalır. Mikroelektronikanın sonraki inkişafı şaqııli inteqrasiya yolu ilə gedir. Bu isə bir kristalında 107-yə qədər element olan böyük inteqral sxemlərin hazırlanmasını nəzərdə tutur.
R. Hümbətov, Elektronika
Mikroelektronika bərk cisim fizikasının, texnologiyanın, mikrosxem texnikasının və sistemotexnikanın nailiyyətlərinə əsaslanan, sürətlə inkişaf edən elm və texnika sahəsidir.
Müasir hesablama texnikasının, robot texnikasının, idarəetmə və informatika sistemlərinin element bazasını məhz mikroelektronika təşkil edir. Mikroelektronika fiziki, kimyəvi, texnoloji, sxemotexniki və kibernetik tədqiqatlarla yanaşı, yüksək etibarlılığa, kiçik qabaritlərə və yüksək səmərəliliyə malik qurğuların konstruksiyasının işlənməsini və istehsalını özündə cəm edir.
Mikroelektronikanın inkişafında əldə edilən ən böyük nailiyyətlər inteqral mikrosxemlərin işlənib hazırlanması və sənaye miqyasında istehsal edilməsidir, inteqral mikrosxem- lər konstruktiv cəhətdən vahid bir qovşaq və blok şəklində işlənmiş funksional (müəyyən bir funksiyanı yerinə yetirən) qurğulardır, inteqral mikrosxemlər mikroelektronikanın əsas məmulatları kimi müxtəlif elektron aparatlarının qurulmasında geniş istifadə edilir və getdikcə diskret cihazlarda (tranzistorlarda, diodlarda və s.) yığılmış blok və qovşaqları istifadədən sıxışdırıb çıxarır.
Son illər mikroelektronikada böyük və ifrat böyük inteqral mikrosxemlər əsasında qurulmuş mikroprosessorlu sistemlər və mikro EHM-lər də geniş tətbiq edilir.
Məhz bu baxımdan bu və ya digər həcmdə elektronikanın əsaslarını öyrənənlər üçün mikroelektronikanın əsas nailiyyətləri haqqında biliklərin əldə edilməsi vacibdir.
Bu bölmədə çox yığcam bir şəkildə mikroelektronika- nın əsas inkişaf istiqaməti—inteqral mikrosxemlərin işlənib hazırlanması haqqında məlumat verilir. Mikroelektronikanın əsasları haqqında biliklərin əldə olunması elektron aparatların yaradılması zamanı element bazasının seçilib istifadə edilməsinə kömək göstərə bilər.
Ramiz Hümbətov, Elektronika
Optoelektron cütü (və ya optron) optik mühit vasitəsilə bir-biri ilə konstruktiv əlaqədə olan, lakin qalvanik (elektrik) cəhətcə ayrı olan şüalandırıcıdan və fotoqəbuledicidən ibarət cihaza deyilir.
Fotoelektron cütünün quruluşu şəkil 9.12a-da göstərilmişdir. İŞ-işıq şüalandırıcısı, FQ-fotoqəbuledici, OM-optik mühit, ME-metal elektrodlar, ŞE-şəffaf elektrodlardır. İşıq şüalandırıcısı yerinə işıq diodları, lazerlər və başqa şüalan- dırıcılar, fotoqəbuledici kimi isə fotodiodlar, fototranzis- torlar işlədilir. İstifadə edilən fotoqəbuledicinin növünə görə bu cihazlar diodlu, tranzistorlu, tiristorlu, və rezistorlu optocütlərə bölünür. Optocütün iş prinsipini ipmuls rejiminə görə araşdıraq (şəkil 9.12b). Optoelektron cütünün girişinə Jgir cərəyan im- pulsu daxil olur və işıq şüalandırıcısı onu işıq seli impulsuna çevirir.
İşıq impulsu işçi dalğa uzunluğunda fotoqəbulediciyə tərəf yönəlir, az sönmə şərtilə optik mühiti keçir və fotoqəbulediciyə daxil olub orada elektrik siqnalına çevrilir. Çıxış impuls cərəyanının forması nisbi vahidlərdə (şəkil 9.12c- də) göstərilmişdir. Elektrik siqnalının işıq siqnalına çevrilməsi optik daşıyıcı siqnalın şüalandırıcı modulyasiyası ilə həyata keçirilir. Fotoqəbuledici bu optik siqnalı demodul- yasiya edib ilkin elektrik siqnalını bərpa edir. Bu zaman İŞ- OM-FQ kanalında siqnala müəyyən təhriflər verilə bilər. Şüalandırıcmm qəbuledici ilə əlaqəsi elektrik cəhətdən neytral olan fotonlar vasitəsilə, özü də yalnız bir istiqamətdə- fotoqəbulediciyə tərəf olur və fotoqəbuledicidə şüalanma enerjisi demək olar ki, tamamilə udulur. Giriş və çıxış dövrələri bir-birindən qalvanik (elektriki) cəhətdən fotoqəbuledici ilə şüalandırıcı arasında yerləşən optik cəhətdən şəffaf olan dielektrik mühitlə ayrılmış olur.
Şüa enerjisi ilə idarə edilən cihazlara optik şüaqəbuledici cihazlar deyilir. Onlar ultrabənövşəyi, görünən və infraqırmızı şüalanmanı elektrik və optik siqnallara çevirirlər. Optik şüalanmanın maddələrlə qarşılıqlı təsirinin xarakterinə görə şüaqəbulediciləri iki sinfə bölünür: istilik şüaqəbulediciləri və foton şüaqəbulediciləri.
İstilik şüaqəbuledicilərində şüalanma selinin fotonları həssas elementin maddəsinin kristal qəfəsəsinin rəqsi enerjisini çoxaldır və bu isə həssas elementin temperaturunu artırır. Nəticədə həssas elementin termo e.h.q, termomüqaviməti, həcmi və polyarizasiyası dəyişir. Şüalanmanın maddə ilə qarşılıqlı təsirindən istilik şüaqəbuledicisinin dövrəsində elektrik və optik siqnallar yaranır. Belə qəbuledicilərə piro- elektrik qəbuledicilər, bolometrlər, radiasiyalı termoelementlər aiddir.
Piroelektrik qəbuledicilərin işi qızdırılma və ya şüalandırma nəticəsində cərəyan hasil edilməsinə əsaslanır. Onlar termoelektrik cərəyan generatorlarıdır. Çıxış siqnalı temperaturu dəyişmə sürətindən asılı olduğundan bu cihazlar sabit xarakterli istilik sahələrinə həssaslıq göstərmir və yüksək iş sürətinə malik olur. Onlar qızdırılmış cisimlərin qeyri-koherent şüalanmasının orta gücünü ölçmək üçün, infraqırmızı şüalanmanın orta sahəsində kosmik tədqiqatlar üçün, lazer şüalanmasının orta, pik gücünü, enerjisini və başqa parametrlərini ölçmək üçün istifadə edilir.
Radiasiyalı termoelementlər istilikdən və ya şüalanmadan termo e.h.q. yaradan iki qeyri-həmcins keçiricinin birləşməsindən ibarətdir. Onlar istilik gərginlik generatorla- rıdırlar. Bunlara avtomatikada temperatur, infraqırmızı və başqa şüalanma gücünün vericisi kimi istifadə olunan termocütlər aiddir.
Bolometrlər istiliyə həssas rezistorlardır. Onların işi işıq selinin udulması nəticəsində müqavimətin dəyişməsinə əsaslanır. Onları elektrik dövrəsinə qoşmaqla udulan şüanın parametrlərini dəyişib gərginliyi (cərəyanı) modulyasiya edirlər.
Foton şüaqəbuledicisində işıq selinin fotonları bilavasitə qəbuledicinin həssas elementinin elektronlarına təsir edərək onları həyəcanlandırır. İşıq selinin gücü vəziyyətlərini dəyişən elektronların sayma görə müəyyən edilir.
Yarımkeçirici foton qəbuledicilərinin işi daxili fotoef- fekt hadisəsinə əsaslanır. Daxili fotoeffekt nəticəsində ko- valent əlaqələrdən azad olan elektronlar maddənin içərisində də qalıb onun elektrik keçiriciliyini artırırlar və nəticədə ya- rımkeçiricidə daxili e.h.q. yaranır.
İşi daxili fotoeffekt hadisəsinə əsaslanan yarımkeçirici elementlərdən fotorezistorları, fotodiodları, fototranzistor- ları, fototutumları, fotovaristorları göstərmək olar. Bu cihazların hamısının əsas xarakteristikaları aşağıdakılardır:
1)işıq xarakteristikası - elektrodlar arasında gərginliyin və şüanın spektral tərkibinin sabit qiymətlərində fotocərə- yanm şüa selinin intensivliyindən asılılığı;
2)volt-amper xarakteristikası - şüa selinin sabit qiymətində fotocərəyanm elektrodlardakı gərginlikdən asılılığı;
3)spektral xarakteristikası - elektrodlar arasındakı gərginliyin və işıq selinin sabit qiymətlərində nisbi həssaslığın (faizlə) işıq şüasının dalğa uzunluğundan asılılığı;
4)tezlik xarakteriktikası - gərginliyin və işıq selinin sabit qiymətlərində nisbi həssaslığın (faizlə) işıq selinin intensivliyinin dəyişmə tezliyindən asılılığı;
5)temperatur xarakteristikası - fotoqəbuledici xarakteristikalarının və parametrlərinin temperaturdan asılılığı;
6)yorulma xarakteristikası - fotoqəbuledicinin həssaslığının iş müddətindən asılı dəyişməsi;
7)keçid xarakteristikası - işıq selinin vahid sıçrayışla dəyişməsinə fotoqəbuledicinin göstərdiyi reaksiya (cihazın iş sürətini xarakterizə edir).
Fotoqəbulediciləri xarakterizə edən əsas parametrlər aşağıdakılardır:
1)inteqral həssaslıq - işıq selinin vahid dəyişməsindən fotocərəyanm necə dəyişməsini göstərir;
2)spektral həssaslıq - hər hansı dalğa uzunluğuna malik işıq selinin dəyişməsindən fotocərəyanm dəyişməsini göstərir;
İşıq şüasının enerjisini elektrik enerjisinə və tərsinə çevirən elektron cihazlarına fotoelektron fotoelektrik cihazları deyilir. İş prinsipinə görə yarımkeçirici fotoelektron cihazlarını üç qrupa bölmək olar: fotoelektron şüalandırıcıları, fotoelektron şüaqəbulediciləri, optoelektron cütləri.
Şüalandırıcı cihazlar elektrik enerjisini müəyyən uzun- luqlu dalğaların optik şüalanma enerjisinə çevirirlər. Enerjinin belə çevrilmə mexanizmi yük daşıyıcılarının yarımkeçi- ricilərdə şüalandırıcı rekombinasiyası ilə əlaqədardır. Şüa- landırıcı cihazların işi lüminessensiya hadisəsinə istinad edir. Lüminessensiya deyəndə xarici təsirdən maddənin elektronlarının həyəcanlanması nəticəsində yaranan optik şüalanma nəzərdə tutulur. Xarici təsir mənbəyi elektrik sahəsi olanda bu hadisə elektrolüminessensiya adlanır.
İşıq saçmanın davamiyyətinə görə lüminessensiya iki növ olur: 1) flüoressensiya (işıq seli, elektron seli, rentgen şüası, elektrik sahəsi və cərəyanının təsirindən maddənin işıq şüalanması); 2) fosforessensiya (millisaniyədən bir neçə saata kimi davam edən uzun müddətli işıqsaçma).
Şüalanma prosesləri ilə əlaqədar olan enerjinin tam həyəcanlanma enerjisinə nisbətinə lüminessensiyanm effektivliyi deyilir. Temperatur artdıqca effektivlik azalır.
Lüminessensiya xassələrinə malik olan maddələrə lüminofor deyilir. Həyəcanlanma mənbəyindən asılı olaraq fotolüminoforlar, katodlüminoforları, rentgen lüminoforları, elektrik lüminoforları mövcuddur. Elektronikada əsasən elektrik lüminoforlan istifadə edilir. Bunlar elektrolüminessent çevirici- lərdə və işıq diodlarmda istifadə edilir.
Elektrolüminessent çevirici lövhələrindən birinin yaxınlığında lüminofor yerləşdirilmiş kondensatordan ibarətdir. Onun işıq saçma parlaqlığı belə təyin edilir:
Elektrolüminessent çeviricinin xarakteristikaları lümi- noforun materialından və konstruksiyadan asılıdır. Material rolunu ya dielektrikdə asılı şəkildə olan fosforun kiçikdis- persli tozu (tozşəkilli fosforlar), ya da vakuumda buxarlanma üsulu ilə alınmış bircins polikristal nazik qat (fosfor sub- limatı) oynayır. Birinci növ elementlər yalnız 50-300 V dəyişən gərginlikdə işləyir. Fosfor sublimat qatı çox nazik olduğundan ikinci növ cihazlar 2-2,5 V amplitudlu sabit və dəyişən gərginlikdə işləyir. İşıqsaçma fosforun və aşqarların növündən asılı olaraq spektrin dalğa uzunluğunun görünən hissəsində 0,45 mkm-dən (mavi işıq) 0,6 mkm-ə (sarı- narmcı işıq) baş verir.
Elektrolüminessent çeviricilərin iş müddəti az olur, onlar stabil işləmirlər - bir müddətdən sonra işıqlanmanm parlaqlığı azalır, onlar həm də ətalətli olurlar (yanma və sönmə vaxtı 10’3-10’4 saniyə həddində olur). Belə çeviricilər böyük gücləndirmə əmsalına malik şüalanma çeviricilərində və gücləndiricilərində, kiçik ölçülü ekranlarda və tablolarda, məntiq elementlərində və digər alçaq tezlikli dövrələrdə işlədilir.
İşıq diodu p-n keçidə malik olan və elektrik enerjisini spektrin görünən hissəsində optik şüalanmaya çevirən ya- rımkeçirici şüalandırıcı cihazdır.
Cihazın işinin əsasını elektron-deşik keçidindən injek- siya edən yükdaşıyıcılarm öz-özünə şüalandırıcı rekombina- siyası ilə əlaqədar olan elektrolüminessensiya hadisəsi təşkil edir. Şüalanma bilavasitə ifrat yükdaşıyıcılarm rekombinasiyasmdan yaranır, keçiddə və keçidə yaxın yarımkeçirici qatlarda baş verir. Təsvir edən işıq diodlarma göstərilən tələblərdən ən başlıcası şüalanmanın spektrin görünən sahəsində baş verməsidir. Burada əsas rolu zonalararası şüalandırıcı rekombinasiya oynadığından yarımkeçiricinin qadağan olunmuş zonasının eni müəyyən qiymətə malik olmalıdır. İşıq diodlarmı hazırlamaq üçün qallium fosfid (görünən işıq) və qallium arseniddən (infraqırmızı) istifadə olunur. İşıq diodu düz qoşulmuş p-n keçiddən ibarət olur (şəkil 9.1 ö). Düz istiqamətdə verilmiş gərginliyin təsirindən keçiddə potensial səddinin hündürlüyü azalır və yükdaşıyıcılarm injeksiyası başlayır: elektronlar n qatından p qatma, deşiklər isə əks istiqamətdə injeksiya edir. Alman cərəyanda elektron toplananı daha böyük olur.
İki dayanıqlı vəziyyətə - alçaq keçiricilikli və yüksək keçiricilikli vəziyyətlərə malik olan dördqatlı yarımkeçirici cihaza tiristor deyilir. Tiristorun bir vəziyyətindən digərinə keçirilməsi xarici təsir (gərginlik, cərəyan və ya işıq seli) nəticəsində həyata keçirilir. Onlar diod tiristorlarına (şəkil 8.1 a) və triod tiristorlarma (şəkil 8.1 b-ç) bölünür. Diod tiristorlarma dinistor deyilir və onlar bağlı vəziyyət dən açıq vəziyyətə anodla (A) katod (K) arasındakı gərginliyin müəyyən bir qiymətində keçir. Triod tiristorlarma tirinistor deyilir və onların vəziyyəti üçüncü - idarəedici elektrodun (İE) köməyi ilə dəyişilir. İdarəedici elektrodun köməyi ilə cihazın vəziyyətini dəyişməkdə bir və ya iki əməliyyat yerinə yetirilə bilər. Bir əməliyyatlı tiristorda (şəkil 8.1 b) idarəedici elektrodun dövrəsi ilə tiristoru yalnız açmaq olar, onu bağlamaq üçün isə anod-katod arasındakı gərginliyin işarəsini dəyişmək lazımdır. İki əməliyyatlı tiristorlarda (şəkil 8.1c) idarəedici elektrodun dövrəsi ilə tiristoru həm açmaq, həm də bağlamaq mümkündür. İşıq şüası ilə idarə olunan tiristorlara fototiristor deyilir (şəkil 8.1 ç).