Bir tərəfi n tipli, digər tərəfi p tipli keçiriciliyə malik olan iki qonşu yarımkeçirici sahəsinin təmas (kontakt) sərhədinə elektron - deşik keçidi və yap-n keçid deyilir.
Belə keçidi iki yarımkeçirici lövhəni bilavasitə bir-biri ilə təmasa (kontakta) gətirməklə əldə etmək mümkün deyildir. Çünki bu halda lövhələr arasında nazik hava qatı və ya səthi təbəqələr əmələ gəlir. Əsl keçid vahid yarımkeçirici lövhədə bu və ya başqa üsulla p nə n təbəqələri arasında kifayət qədər kəskin sərhəd yaratmaqla əldə edilir.
80
п və p təbəqələrində əsas yükdaşıyıcılann konsentrasiyasına
görə keçidlər simmetrik və qeyri-simmetrik
(пп»рр\е ya Pp»n,^ olur. Qeyri-simmetrik keçidlər çox
geniş yayılmışlar. Belə keçidə malik yarımkeçiricilərdə
yükdaşıyıcılann konsentrasiyaları bir-birindən 100-1000
dəfə fərqlənir. Müəyyənlik üçün belə qəbul edilir ki, p təbəqəsi
n təbəqəsinə nisbətən həmişə daha kiçik müqavimətə
malik olur
Təmasdan qabaq hər iki təbəqədə sərbəst yükdaşıyıcıların
və aşqarların konsentrasiyaları şəkil 3.7tz-da göstərilmişdir.
Yaxşı təsəvvür etmək üçün konsentrasiyalarm fərqi
həqiqətdə olduğundan xeyli az götürülmüşdür.
Hər iki təbəqəni təmasa gətirib keçid yaradandan
sonra Pp»pn olduğundan konsentrasiya qradiyentinin təsiri
altında deşiklərin bir hissəsi p qatından n qatına diffuziya
edəcəkdir, n qatında sərhəd yaxınlığında artıq deşiklər əmə-
P qatı
Чһ Ч» + n өөог
өөө^ө
4-+4-4-4- ©©„©©_©. 4- + 4- 4- 4-
өөөөө
®_©+®©
©+®_®©
®® өө
i
O Donor
— Elektron
©Akseptor
+ Deşik
ЈГ у
Şəkil 3.1 .p-n keçidin strukturu: a) təmasdan qabaqkı hal;
b) təmasdan sonrakı hal
81
lə gələcək və onlar np = n2ı şərti ödənənə qədər elektronlarla rekombinasiya edəcəklər. Nəticədə bu sahədə sərbəst elektronların konsentrasiyası azalacaq və donor atomlarının kompensasiya edilməmiş müsbət yükü özünü göstərəcəkdir (şəkil 3.7£>).
Buna uyğun olaraq, konsentrasiya qradiyentinin təsirindən (nn»pp) n qatının elektronlarının bir hissəsi p qatma diffuziya edəcək və sərhəd yaxınlığında deşiklərlə rekombi- nasiyaya girərək burada deşiklərin konsentrasiyasmı azaldacaqdır.
Nəticədə sərhədin sol tərəfində akseptor atomlarının kompensasiya edilməmiş mənfi yükü üstünlük təşkil edəcəkdir. Qeyri-simmetrik keçiddə elektronların 1/p qatma dif- fuziyası bir o qədər də çox deyildir, çünki pp-p„»n„-np.
Kompensasiya edilmiş fəza yüklərinin yarandığı belə sahəyə keçid sahəsi deyilir və onun eni onda bir mikronla ölçülür. Mütəhərrik yükdaşıyıcılarm hər iki hissədə konsen- trasiyası kəskin azaldığından bu sahəni həm də kasıblaşmış və ya tükənmiş sahə adlandırırlar.
Müvazinət üçün, daha doğrusu, keçidin neytral olması üçün ümumi yük sıfra - sol tərəfdəki mənfi yük - sağ tərəfdəki müsbət yükə bərabər olmalıdır. Şəkildən görünür ki, bu yüklər təkcə aşqar ionları ilə yox, həm də qonşu qatdan gəlmiş daşıyıcıların sayı ilə əlaqədardır. Ancaq bu yükdaşı- yıcılarm rolu bir o qədər əhəmiyyət daşımır və praktiki olaraq fəza yüklərinin aşqar ionları ilə əlaqədar olduğunu qəbul edirlər.
Keçiddə akseptorlarm konsentrasiyası donorların kon- sentrasiyasından çox olduğundan (Na>Nd), sağdakı və soldakı yüklər bərabər olduğundan faza yüklərinin təsir uzunluğu müxtəlif olur: n qatından müsbət yük sahəsi p qatındakı mənfi yük sahəsindən daha enli olur. Başqa sözlə desək qeyri simmetrik keçid əsasən yüksəkmüqavimətli n qatında
82
(bu halda) cəm olur. Bu vəziyyət mütəhərrik daşıyıcıların yükünü nəzərə alanda da dəyişmir.
Keçidin işini zona nəzəriyyəsi baxımından araşdıraq, p və n qatları təmasda olmayanda onların zona diaqramları şəkil 3.8 я-da təsvir olunur. Qatlar birləşəndən sonra da Fenni səviyyəsinin hər iki qat üçün eyni olması zərurətindən zonalar mütləq əyilir, qatların elektrostatik potensialları fərqlənir və bu da potensial səddinin yaranmasına gətirib çıxarır
(şəkil 3.8 b).
Elektronları keçiricilik zonasının dibi ilə hərəkət edən kürəciklərə bənzətmək yolu ilə axırıncı diaqramdan potensial fərqini izah etmək olar. Göründüyü kimi n qatındakı elektronlara çox kiçik ilkin enerji lazımdır ki, a-b sahəsindəki dikliyi dəf edib sol tərəfə keçsinlər, p qatındakı elektronlara isə ilkin enerji lazım olmur, onlardan hər biri səddin sərhədinə çatarsa, asanlıqla sürüşüb sağ tərəfə keçə bilər.
Valent zonasını maye ilə doldurulmuş, deşikləri ilə bu
b)
Şəkil 3.8. p və n qatlarının təmasda olmadığı (a) və təmasdan sonra müvazinətdə olduğu (b) hallar üçün zona diaqramları
zonanın tavanına yapışmış süzgəc kimi təsvir etsək, görərik ki, p qatının deşikləri kifayət qədər ilkin enerjiyə malik olmalıdırlar ki, ”mayenin” sıxıb-çıxarma qüvvəsini dəf edib v-q sahəsində potensial səddin səviyəsinə düşə bilsinlər, n qatının deşikləri isə sərhədə çatarlarsa ”üzərək” asanlıqla sol tərəfə keçə bilərlər.
n qatının az enerjili elektronları və p qatının az enerjili deşikləri səddi keçə bilmirlər və elə bil ki, ona dəyib geri
83
qayıdırlar. Bu daşıyıcıların sərhədə girmə məsafəsi onların enerjisinə mütənasibdir. Şəkil 3.8 b-də sərhəd sahəsində solda ionlaşmış akseptor atomları, sağda isə ionlaşmış donor atomları göstərilmişdir. Məlumdur ki, onların səviyyələri uyğun qatın dərinliyi boyunca yerləşmişlər. Onları yalnız sərhəd yaxınlığında göstərməklə bu sahədə ionların yükünün kompensasiya olunmadığı qeyd olunur. Doğrudan da “a”" nöqtəsindən solda Fermi səviyyəsi ilə keçiricilik zonasının dibi arasındakı məsafə getdikcə artır. Bu o deməkdir ki, a-b sahəsində bu zonanın elektronlarla tutulma ehtimalı azalır. Ona görə də əgər “a”" nöqtəsindən sağda elektronlar donor ionların müsbət yükünü konpensasiya edə bilər və n qatı neytral olursa, “a”" nöqtəsindən solda elektronların konsentrasiyası kəskin azalır və belə kompensasiya baş vermir. Eyni sözləri “v"” nöqtəsindən sağdakı akseptor ionlarının yükü haqqında da demək olar.
Keçidi təhlil edərkən keçidin içərisində sərbəst yükda- şıyıcılarm konsentrasiyasmm sıfra bərabər, keçiddən kənarda isə müvazinətdə olduğu qəbul edilir. Daha doğrusu hesab edilir ki, elektrik sahəsi yalnız keçid sahəsilə məhdudlaşır.
Belə ideallaşdırılmış pilləvari keçid üçün müvazinət halında potensial səddinin hündürlüyü belə təyin edilir:
Л(р= (Pe? -
ç’fep və (р^п - qatların dərinliyində uyğun elektrostatik potensiallardır. Bu potensialları qatlardakı sərbəst elektronların konsentrasiyası ilə ifadə etsək
1 ПР 4>a.z
(PeP = ~(Рт Пу + ~ 2
1 Пп (Pa.z
(pEn = —<Рт П jy + Фғ — 2
alarıq.
84
a)
Л/с2
N
n qatı
Щ x
b) *=0
л
^9
X
L
c) -рЈа
X
^0*1-
Nəticədə potensial fərqi kimi təyin olunur. Burada Nc keçiricilik zonasının lsm3 həcmində effektiv vəziyyətlər sıxlığıdır. Fiziki mənasına görə Nc yarımkeçiricidə (рр—нрс halında elektronların maksimal konsentrasiyasıdır. np=nt2 vasitəsilə elektronların konsentrasiyasmı deşiklərin konsen- trasiyası ilə əvəz etsək potensial səddin hündürlüyü üçün digər ifadəni alarıq:
Aç?0 = срт İn — Pn
Лсро bəzən diffuziya potensialı da adlanır. Çünki bu potensial fərqi bir tərəfdən yükdaşıyıcılarmm keçiddən dif- fuziyası nəticəsində yaranır, digər tərəfdən isə bu potensial daşıyıcıların diffuziya selinin əksinə təsir göstərir. A(po-ı bəzən təmas potensial fərqi də adlandırırlar.
Yuxarıdakı mülahizələr tamamilə keçidin müvazinət halına aiddir. Bu hal üçün aşqarların konsentrasiyası- nın, yüklərin sıxlığının, sahə gərginliyinin və potensialın paylanması şəkil 3.9-də göstərilmişdir.
Təkrar edək ki, keçidin sərhəddindən uzaqlarda hər iki tərəfdə elektrik sahəsi olmur. Ona görə də bu sahələrdə enerji zonaları üfqi xətlərlə təsvir edilir. Daxili elektrik sahəsi gərginliyi keçiddə n qatından p qatma
tərəf yönəldiyindən diaqramda n sahəsinə uyğun enerji zoŞəkil
3.9. Pilləvarip-n keçiddə müvazinət halında aşqarların konsentrasi- yasmın (a), yüklərin sıxlığının (Z>), sahə gərginliyinin (c) paylanması
85
naları həmişə p qatma uyğun zonalara nisbətən aşağıda
olmalıdır.
Şəkil 3.1 O-də keçidin tarazlıq (a) və qeyri-tarazlıq (Z>,
c) halı üçün enerji diaqramları göstərilmişdir. Qeyri-tarazlıq
halı keçidə xarici gərginlik mənbəyi qoşulanda baş verir. Bu
zaman keçiddə xarici elektrik sahəsi yaranır.
Əgər xarici sahə £xar daxili sahəyə Edax əks olarsa (şəkil
3.10 b) onda keçiddəki nəticəvi gərginlik və potensial
səddinin hündürlüyü azalar.
P EXar EXar
a) b) — E.ı>x c)
Şəkil 3.10. Tarazlıq və qeyri-tarazlıq halında keçiddə
yüklərin paylanması və enerji səviyyəsinin dəyişməsi
Nəticədə əsas yükdaşıyıcılarm böyük enerjiyə malik
olan hissəsi bu səddi dəf edərək p qatından n qatma (deşiklər)
və n qatından p qatma (elektronlar) keçə bilər. Bu halda
n qatında sərhəd yaxmdığmda deşiklərin və p qatında sərhəd
yaxınlığında elektronların konsentrasiyaları belə ifadə
olunur:
Uxar/ U'
P„=P„e /vt-, np=npe
Burada p„o və np0- müvazinət halma uyğun konsentrasiyalar,
L/xar isə keçidə tətbiq edilən xarici gərginlikdir.
86 --------------------------------------------------------------------------------------------
Göründüyü kimi bu halda sərhəd yaxınlığında hər iki qatda yükdaşıyıcılarm konsentrasiyası müvazinət halına nisbətən artır. Başqa sözlə, qatların hər birində ifrat (artıq saylı) qeyri-əsas yükdaşıyıcıları əmələ gəlir. Qeyri-əsas yükdaşıyıcılarm bu yolla yarımkeçirici qata nüfuz etməsi prosesinə injeksiya deyilir.
Sərhəddə ifrat konsentrasiyalarm qiymətini bu konsen- trasiyalarm cari qiymətləri ilə tarazlıq halına uyğun konsentrasiyalarm fərqindən (pn-pno) və (np-npOş) tapmaq olar:
A«p
Ж, = Pn.
_1
Bu iki ifadəni bir-birinə bölüb, sağ tərəfdəki pn0 və np0 konsentrasiyalarmı pp və nn-lə (пр=п2-а görə) əvəz etsək
= — alarıq. Belə qeyri-simmetrik keçiddə əsas yük- A'h n„
daşıyıcıların konsentrasiyaları xeyli fərqləndiyindən yüksək müqavimətli (bu halda n tipli) qata injeksiya edilən qeyri- əsas yükdaşıyıcılarm konsentrasiyası alçaq müqavimətli p qatma injeksiya edilən qeyri-əsas yükdaşıyıcılarm konsen- trasiyasmdan qat-qat çox olacaqdır. Beləliklə, real qeyri- simmetrik keçidlərdə injeksiya demək olar ki, birtərəfli xarakter daşıyır: qeyri-əsas yükdaşıyıcıları əsasən alçaq müqavimətli qatdan yüksək müqavimətli qata tərəf hərəkət edir.
Kiçik xüsusi müqavimətə malik inteksiya edən qata emitter, nisbətən böyük müqavimətli, nəticəsinə qeyri-əsas yükdaşıyıcılarm inteksiya edildiyi qata isə baza deyilir.
İnjeksiya nəticəsində keçiddən böyük cərəyan axır. Keçidin belə qoşulmasına düz istiqamətdə qoşulma deyilir. Xarici gərginliyin qiyməti artdıqca keçiddəki nəticəvi gər--------------------------------------------------------------------------------------------
87
ginlik azalır və bu elektrik sahəsinin yarımkeçiricinin sərhədə yaxm dərinliyinə təsiri azalır. Ona görə də keçidin (və ya həcmi yük sahəsinin) eni azalır (/düz).
Əgər xarici elektrik sahəsi daxili sahə istiqamətində olarsa, əsas yükdaşıyıcıları üçün potensial səddinin hündürlüyü artar (şəkil 3.10с). Bu halda qeyri-əsas yükdaşıyıcıları üçün sədd olmadığından onlar keçiddən bu və digər tərəfə keçir və keçiddən onların konsentrasiyasma uyğun cərəyan axır. Bu halda sərhəd yaxınlığında hər iki qatda müvazinət halına nisbətən pn və np konsentrasiyaları azalır. Qeyri-əsas daşıyıcıların n vəp qatlarından bu cür "sorulması" prosesinə ekstraksiya deyilir. Ekstraksiya nəticəsində keçiddən axan kiçik cərəyana əks cərəyan deyilir. Tətbiq edilmiş xarici (əks) gərginliyin qiyməti artıqca keçidin (və ya fəza yük sahəsinin) eni çoxalır (/eks).
Keçidin belə qoşulmasına əks istiqamətdə qoşulma deyilir. Keçiddən axan cərəyanın analitik ifadəsi belədir:
r u™7 >
J = Jn \ e _1
о
Burada Jo - keçiddən axan əks cərəyandır. Ona istilik cərəyanı da deyilir. Onun qiyməti temperaturun sabit qiymətində yarımkeçiricinin fiziki xüsusiyyətləri ilə müəyyən edilir.
Bu ifadəyə uyğun gələn qrafıkə elektron-deşik keçidinin volt-amper xarakteristikası (keçiddən axan cərəyanın tətbiq edilən gərginliyin qiymətindən və işarəsindən asılılığı) deyilir.
Keçidin volt-amper xarakteristikası şəkil 3.11-də göstərilmişdir. Göründüyü kimi gərginliyin müsbət qiymətlərində
(düz qoşulma) 0 hasili artır, mənfi qiymətlərində isə sıfra qədər azalır və cərəyan J0-a bərabər olur. Əks cərəyanın qiyməti düz cərəyandan çox-çox kiçik olduğun-
88
U düz
Idüz
Uəks əks qoşulma
/ düz qoşulma
Јо1У
' keçidin (deşil-si
a &\
Iəks
Şəkil 3.11. p-n keçidinin voltamper xarakteristikası.
dan hesab olunur ki, keçid cərəyanı birtərəfli keçirmək (ventil) xüsusiyyətinə malikdir.
Əks gərginliyin yüksək qiymətlərində əks cərəyanın qiyməti artır və əgər o məhdudlaşdırılmasa keçid "deşilir" və cərəyan birtərəfli keçirmə xüsusiyyətini itirir. Bu gərginliyə deşilmə gərginliyi deyilir.
Yarımkeçiricinin xüsusi müqavimətindən, keçidin növündən, tətbiq edilən gərginliyin forma və
qiymətindən, ətraf mühitin temperaturundan, istilik ötürmə şəraitindən, kristalın səthinin vəziyyətindən və digər amillərdən asılı olaraq deşilmənin aşağıdakı növləri olur: tunel deşilməsi, selvari deşilmə, istilik deşilməsi və səthi deşilmə.
Tunel və selvari deşilmə elektrik sahəsinin mövcudluğu ilə əlaqədardır. İstilik deşilməsi keçiddə səpələnən gücün artması və bu zaman səpələnən istiliklə keçiddə əks cərəyan axanda ayrılan güc arasında tarazlığın pozulması ilə əlaqədardır. Səthi deşilmə kristalın üzərində səthi yükün mövcud olması ilə əlaqədardır.
Deşilmənin növləri haqqında qısa məlumat verək.
Tunel deşilməsi. Yüksək elektrik sahəsinin təsirindən yarımkeçiricidə enerji zonaları əyilir və elə bil ki, qadağan olunmuş zona ensizləşir. Bunun nəticəsində elektronların keçid sahəsində valent zonasından keçiricilik zonasına tunelvari keçməsi (sivişməsi) ehtimalı yaranır. Belə deşilmə germaniumda £«2-10’5 V/sm silisiumda isə Л«4-105 V/sm gərginlikli sahədə baş verir. Deşilmənin başlanğıcı ,/;>kS=lO./o
89
qiymətinə uyğun gəlir. Deşilmə gərginliyi bazanın xüsusi müqavimətinə mütənasibdir və keçiriciliyin növündən asılıdır. Böyük əks gərginliyə dözə bilən keçidlərin yüksək müqavimətli n-tipli bazaları olur.
Bu deşilmənin mexanizmi belə də izah edilə bilər. Elektrik sahəsinin gərginliyi artdıqca atomlarla əlaqədə olan elektronların enerjisi artır, onlar atomlardan ayrılmağa hazırlaşırlar. Elektrik sahəsi olmayan hala nisbətən belə ayrılmalar daha az enerjili fononlarla (daha kiçik temperaturda) baş verə bilər. Ona görə də temperaturun fononlarm orta enerjisini müəyyən edən hər hansı qiymətində belə ayrılmaların sayı artır. Zona nəzəriyyəsi baxımından bu həmin temperaturda valent zonasından keçiricilik zonasına keçən elektronların sayının artması deməkdir ki, bu da qadağan olunmuş zonanın eninin azalmasına ekvivalentdir.
Selvari deşilmə sahə gərginliyinin kiçik qiymətində neytral atomların sürətli yük daşıyıcılar vasitəsilə zərbə ion- laşması nəticəsində baş verir. Keçid sahəsində qeyri-əsas yükdaşıyıcıları (elektron və deşiklər) elektrik sahəsi ilə sürətlənərək ionlaşdırma üçün kifayət edən enerji əldə edirlər və keçid sahəsində yarımkeçirici atomlarından valent əlaqələrini qırırlar. Nəticədə yeni yükdaşıyıcı cütlər yaranır və proses bunların təsiri altında daha da inkişaf edir. Bu halda keçiddən axan ümumi cərəyan ionlaşma olmadığı haldan çox olur, sahə gərginliyinin böyük qiymətlərində ionlaşma selvari xarakter daşıyır (qazlarda elektrik boşalmasına bənzər) və cərəyan bu halda xarici müqavimətlə məhdudlaşır.
Qeyri-əsas yükdaşıyıcılarmm keçid sahəsində hərəkət vaxtı kifayət qədər enerji alması üçün onların dreyf müddəti mümkün qədər böyük olmalıdır. Ona görə də selvari deşilmə enli keçidlərdə (yüksək müqavimətli materialda) baş verir. Ensiz keçidlərdə (kiçik müqavimətli materialda) yükda- şıyıcıları dreyf vaxtı hətta yüksək sahə gərginliyi olanda da
90
kifayət qədər enerji əldə edə bilmirlər və belə keçidlərdə tunel deşilməsi baş verir.
istilik deşilməsi sahə gərginliyinin çox kiçik qiymətlərində keçiddən vahid zamanda kənara verilən istiliyin əks cərəyanın təsirindən keçiddə ayırılan istilikdən az olması halında baş verir. İstiliyin təsirindən (həyəcanlanmadan) va- lent elektronları keçiricilik zonasına keçir və keçiddə cərəyanı daha da artırırlar. Bu əlaqə cərəyanın selvari artması və keçidin deşilməsinə gətirib çıxarır. Ətraf mühitin temperaturu artıqca istilik mexanizmli deşilmə gərginliyi azalır. Kiçik əks cərəyana malik keçidlərdə deşilmə gərginliyi az olur. Silisium keçidlərində Yo çox kiçikdir və onlarda istilik deşilməsi baş vermir.
Səthi deşilmə. Sahə gərginliyinin keçiddə paylanması yarımkeçiricinin səthində yığılan yükləri kəskin dəyişə bilir. Səthi yüklər keçidin qalınlığını artırıb azalda bilər. Nəticədə səthdə sahə gərginliyinin həcmi deşilmə üçün lazım olandan az müəyyən qiymətlərində səthi deşilmə baş verə bilər. Belə deşilmənin baş verməsində yarımkeçiricinin səthi ilə həmsərhəd olan mühitin dielektrik xüsusiyyətləri (örtüyü, çirkliyi və s.) mühüm rol oynayır. Belə deşilmənin baş vermə ehtimalını azaltmaq üçün yüksək dielektrik sabitli örtüklərdən istifadə olunur.
Keçidin xüsusiyyətləri temperaturdan çox asılıdır. Temperatur artdıqca elektron-deşik cütlərinin yaranması sürətlənir, qeyri-əsas yükdaşıyıcılarm konsentrasiyası və kristalın məxsusi keçiriciliyi artır. Ona görə də temperatur çoxaldıqca həm düz, həm də əks cərəyanın qiyməti artır. Ancaq bu artma eyni olmur, çünki düz cərəyanın qiyməti əsasən aşqarların konsentrasiyasmdan asılıdır.
Keçidin xüsusiyyətləri həm də tətbiq olunan gərginliyin tezliyindən asılıdır. Bunun səbəbi //və p təbəqələri arasında xüsusi tutumun mövcud olmasındadır.
91
Əks gərginlik tətbiq edilərkən hər iki işarəli yükdaşı- yıcıları keçidin hər iki tərəfində yığılırlar və keçidin özündə onların sayı az olur. Bu halda keçidi tutum kimi təsvir etmək olar. Bu tutumun qiyməti keçidin həcmi fəza yükündən, başqa sözlə, keçidin sahəsindən, enindən və yarımkeçiricinin dielektrik nüfuzluğundan asılıdır. Bu tutuma sədd tutumu deyilir. Əks gərginliyin kiçik qiymətlərində müxtəlif işarəli yükdaşıyıcılar bir-birindən çox da uzaqda olmur. Ona görə sədd tutumu çox böyük olur (keçid ensiz olur). Əks gərginlik artıqca keçidin eni böyüyür və sədd tutumu azalır. Bu xüsusiyyət keçidi əks gərginliyi dəyişməklə idarə olunan tutum kimi istifadə etməyə imkan verir.
Sədd tutumunun mövcudluğu keçidin xüsusiyyətlərinə təsir göstərir. Yüksək tezliklərdə işləyərkən keçidin tutum müqaviməti Х8Өаа=1/®С8Өаа azalır və əks qoşulmuş keçidin böyük müqavimətini şuntlayır. Bu zaman keçid bir tərəfli cərəyan keçirmə xüsusiyyətini itirir.
Sədd tutumundan əlavə keçid diffuziya tutumuna da malik olur. Bu tutum düz qoşulma rejimində yük daşıyıcıların injeksiyası nəticəsində yaranır. Diffuziya tutumu keçidin işinə çox təsir etmir, çünki o həmişə keçidin kiçik düz müqaviməti ilə şuntlanmış olur.
