Yarımkeçiricilərdə elektromaqnit şüalanması. Daxili fotoeffekt hadisəsi

 Yarımkeçiricilərdə elektromaqnit şüalanması. Daxili fotoeffekt hadisəsi

Fotoelektron cihazlarının işi şüa enerjisinin təsiri altında elektrik rejiminin dəyişməsi ilə əlaqədardir. Bu cihazlarda daxili fotoeffekt hadisəsindən istifadə olunur. Bu effektin məğzi ondadır ki, yarımkeçirici şüa enerjisi ilə işıqlandırılırsa onun elektronları atomlararası əlaqələri qırmaq üçün kifayət edən əlavə enerji əldə edir. Nəticədə kristalda sərbəst yük daşıyıcılarının sayı artır, maddənin keçiriciliyi çoxalır və daxili e.h.q. yaranır. Eynşteyn nəzəriyyəsinə görə fotoeffekt o vaxt yarana bilər ki, optik şüalanma kvantlarının enerjisi elektronları valent zonasının yerli səviyyələrindən keçiricilik zonasına keçirə bilsin. Kvantın enerjisi hv, elektronun çıxış işi qcp və onun başlanğıc sürəti u arasında asılılıq Eynşteyn tərəfindən belə ifadə olunur:

burada m-elektronun kütləsidir.
Beləliklə, keçiricilik zonasına keçmək üçün elektron yarımkeçiricinin qadağan olunmuş zonasının enindən böyük enerji artımı əldə etməlidir. Səs rəqslərininşərtinin ödənməsini təmin edən v0 tezliyinə fotoeffektin sərhəd tez
işıq diodları, fototiristorlar, fototutumlar, fotovaristorlar və s.) geniş istifadə olunur.



Previous Post Next Post

Contact Form