Yarımkeçirici inteqral mikrosxemlərdə kondensator kimi bipolyar tranzistorların əks qoşulmuş p-n keçidlərinin sədd tutumu və ya MOY-tranzistorun tutumu istifadə olunur. inteqral kondensatorlar əsasən bipolyar tranzistorların emitter və kollektor keçidləri əsasında əldə edilir (şəkil 10.12). Emitter keçidli kondensatorun (a) xüsusi tutumu (vahid sahəyə düşən) ən böyük (0,2mkE/sm2), deşilmə gərginliyi isə ən kiçik (bir neçə volt) olur. Kollektor keçidli kondensatorun (b) xüsusi tutumu təxminən 6 dəfə kiçikdir, deşilmə gərginliyi isə on voltlarla ölçülür.
Sunday, March 27, 2022
Rezisotorların hazırlanması
İnteqral rezistorlar 3 mkm-ə qədər nazik yarımkeçirici qat kimi olur. Onları altlığın digər adacıqlarında yaradılan tranzistor strukturları ilə eyni zamanda formalaşdırmaq lazımdır. Belə rezistor dif- fuziya rezistoru adlanır. Rezistorlar da başqa elementlərlə bağlı p-n keçidləri vasitəsi ilə izolə edilir.
Praktikada ən çox yayılan üsul tranzistor strukturunun baza və ya emitter qatının diffuziya rezistoru kimi istifadə edilməsidir. Baza qatı üzərində böyük müqavimətli, emitter qatı üzərində isə kiçik müqavimətli rezistorlar alınır. Baza qatı əsasında alınan diffuziya rezistorunun strukturundan görünür ki, o, digər elementlərdən ən azı iki əks qoşulmuş pn keçidlə izolə olunmuşdur (şəkil 10.11 a). Tətbiq edilən gərginliyin işarəsindən asılı olmayaraq qarşı-qarşıya qoşulmuş p-n keçidlər sistemi həmişə bağlı olur.
Dördbucaqlı formaya malik olan diffuziya rezistorunun müqaviməti belə təyin olunur:
Xüsusi səthi müqavimət təbəqəli rezistorların cərəyan keçirmə xüsusiyyətlərini xarakterizə edən mühüm kəmiyyətdir və o, kvadratın ölçülərindən asılı olmur. Onun ölçü vahidi Om/kvadratdır (Om/m). Bipolyar tranzistorun emitter qatı əsasında alman diffuziya rezistorunun da (şəkil 10.1 lb) müqaviməti yuxarıdakı qayda ilə təyin edilir. Baza qatı əsasında alman diffuziya rezistorlarınm xüsusi, səthi, müqaviməti. 100-300 Om/kvadrat, emitter qatı əsasında, alınan rezistorunki isə 0,5 Om/kvadrat həddində olur. Adətən, belə rezistorların müqavimətlərinin qiyməti 10 Om-dan 50 kOm-a qədər, sahəsi isə 0,125 mrnf olur ki, bu da inteqral tranzistorun tutduğu sahədən 40-50 dəfə çoxdur, p-n keçidlərlə izolə olunmuş diffuziya rezistorlaıı 20 Mhs-ə qədər tezlikdə işləyə bilir. .Metal-oksid-yarımkeçirici strukturlarda rezistor kimi MOY tranzistorları istifadə olunur (şəkil 10.11c). Burada kanal rezistiv cərəyan axıdan cığır kimi təsvir edilir və en kəsiyi yuxarıdan n tipli aşqarlı diffuziya həyata keçirməklə kiçildilir. Bu rezistorlar qeyrixətti xarakteristikaya malik olurlar və onlara PINÇ-rezistorlar deyilir.
Saturday, March 26, 2022
Diodların hazırlanması
Planar texnologiya ilə diodlar da yuxarıdakı qaydada hazırlana bilər. Lakin konstruktiv-texnoloji baxımdan sərfəli olduğuna görə diod kimi adətən inteqral tranzistorların emitter və kollektor keçidləri istifadə olunur. Diod kimi istifadə olunan inteqral tranzistorlar 5 müxtəlif sxem üzrə qoşulur (şəkil 10.10). Kollektor keçidi əsasında alman diodlar (şəkil 10.10 ç, d) ən böyük buraxda bilən əks gərginliyə (SOV) malikdir. Emitter keçidində alman diodlarm iş sürəti böyük, əks cərəyanının qiyməti isə ən kiçik olur. Kollektor keçidi qısa qapanmaqla emitter keçidi əsasında alman diod (şəkil 10. 10с) stabilitron kimi işlədilir. Diodun tutumu (anod və katod arasında) istifadə olunan keçidin sahəsi ilə müəyyən edilir. Ona görə də tutumun qiyməti hu keçidlər paralel qoşulanda (şəkil lO.lOç) maksimal olur. Altlıqla element arasında yaranan parazit tutum anodu və ya katodu "yerə" şuntlaya bilər, çünki altlıq "yerə" birləşmiş (torpaqlanmış) olıır. Emitter keçidində alman diodlarda bıı tutum dalıq kiçik olıır.
Diodun açıq vəziyyətdən bağlı vəziyyətə keçirilməsi müddəti (əks—cərəyanın bərpa müddəti) kollektor keçidi qısa qapanmaqla emitter keçidində alman diodlarda minimal olur, çünki burada yüklər yalnız baza qatında yığılır (kollektor keçidi qısa qapanmışdır şəkil 10.10c). Digər variantlarda yüklər lıəm bazada, həm də kollektorda yığılır və onların sorulub aparılması üçün daha çox vaxt tələb olunur. Göstərilən variantlardan emitter dövrəsində alınan diodlar (şəkil 10.10 c,ç) optimal hesab olunur. Ən çox istifadə olunan kollektor keçidi qısa qapanmaqla emitter keçidində alınan dioddur.
Mənbə: R. Hümbətov, Elektronika
Sunday, August 22, 2021
Tranzistorların hazırlanması
Tranzistorları hazırlamaq üçün əsasən planar-diffuziyalı və planar-epitaksial texnologiyadan istifadə edirlər.
Bipolyar tranzistoru hazırlamaq üçün planar-diffuziyalı texnologiyada əvvəlcə p tipli altlığın səthində termiki oksidləşmə üsulu ilə silisium oksiddən nazik müdafiə qatı yaradılır (şəkil 10.8). Sonra fotolitoqrafıya üsulu ilə 1-ci oksid üzlüyü əmələ gətirmək üçün oksid təbəqəsinin üzünə işığa həssas olan emıılsiya-fotorezist çəkilir. Fotorezistin üzərinə üzlüyün tələb olunan rəsminin şəkli salmır, alınan təsvir aşkarlanır, fotorezistin işıq düşən hissələri xüsusi məhlulla təmizlənərək oksid təbəqəsinin üsto açılır. Sonra yenə məhlulla üstü açılmış sahədə oksid təbəqəsi həll etdirilib götürülür.
Saturday, March 6, 2021
Optoelektron cütləri
Optoelektron cütləri
Optoelektron cütü (və ya optron) optik mühit vasitəsilə bir-biri ilə konstruktiv əlaqədə olan, lakin qalvanik (elektrik) cəhətcə ayrı olan şüalandırıcıdan və fotoqəbuledicidən ibarət cihaza deyilir.
Fotoelektron cütünün quruluşu şəkil 9.12a-da göstərilmişdir. İŞ-işıq şüalandırıcısı, FQ-fotoqəbuledici, OM-optik mühit, ME-metal elektrodlar, ŞE-şəffaf elektrodlardır. İşıq şüalandırıcısı yerinə işıq diodları, lazerlər və başqa şüalan- dırıcılar, fotoqəbuledici kimi isə fotodiodlar, fototranzis- torlar işlədilir. İstifadə edilən fotoqəbuledicinin növünə görə bu cihazlar diodlu, tranzistorlu, tiristorlu, və rezistorlu optocütlərə bölünür. Optocütün iş prinsipini ipmuls rejiminə görə araşdıraq (şəkil 9.12b). Optoelektron cütünün girişinə Jgir cərəyan im- pulsu daxil olur və işıq şüalandırıcısı onu işıq seli impulsuna çevirir.
İşıq impulsu işçi dalğa uzunluğunda fotoqəbulediciyə tərəf yönəlir, az sönmə şərtilə optik mühiti keçir və fotoqəbulediciyə daxil olub orada elektrik siqnalına çevrilir. Çıxış impuls cərəyanının forması nisbi vahidlərdə (şəkil 9.12c- də) göstərilmişdir. Elektrik siqnalının işıq siqnalına çevrilməsi optik daşıyıcı siqnalın şüalandırıcı modulyasiyası ilə həyata keçirilir. Fotoqəbuledici bu optik siqnalı demodul- yasiya edib ilkin elektrik siqnalını bərpa edir. Bu zaman İŞ- OM-FQ kanalında siqnala müəyyən təhriflər verilə bilər. Şüalandırıcmm qəbuledici ilə əlaqəsi elektrik cəhətdən neytral olan fotonlar vasitəsilə, özü də yalnız bir istiqamətdə- fotoqəbulediciyə tərəf olur və fotoqəbuledicidə şüalanma enerjisi demək olar ki, tamamilə udulur. Giriş və çıxış dövrələri bir-birindən qalvanik (elektriki) cəhətdən fotoqəbuledici ilə şüalandırıcı arasında yerləşən optik cəhətdən şəffaf olan dielektrik mühitlə ayrılmış olur.
Friday, February 19, 2021
Fotoelektron şüaqəbuledici cihazlar(fotodiodlar, fototranzistorlar, fototiristorlar, fotorezistorlar, fototutumlar və.s)
Fotoelektron şüaqəbuledici cihazlar
Şüa enerjisi ilə idarə edilən cihazlara optik şüaqəbuledici cihazlar deyilir. Onlar ultrabənövşəyi, görünən və infraqırmızı şüalanmanı elektrik və optik siqnallara çevirirlər. Optik şüalanmanın maddələrlə qarşılıqlı təsirinin xarakterinə görə şüaqəbulediciləri iki sinfə bölünür: istilik şüaqəbulediciləri və foton şüaqəbulediciləri.
İstilik şüaqəbuledicilərində şüalanma selinin fotonları həssas elementin maddəsinin kristal qəfəsəsinin rəqsi enerjisini çoxaldır və bu isə həssas elementin temperaturunu artırır. Nəticədə həssas elementin termo e.h.q, termomüqaviməti, həcmi və polyarizasiyası dəyişir. Şüalanmanın maddə ilə qarşılıqlı təsirindən istilik şüaqəbuledicisinin dövrəsində elektrik və optik siqnallar yaranır. Belə qəbuledicilərə piro- elektrik qəbuledicilər, bolometrlər, radiasiyalı termoelementlər aiddir.
Piroelektrik qəbuledicilərin işi qızdırılma və ya şüalandırma nəticəsində cərəyan hasil edilməsinə əsaslanır. Onlar termoelektrik cərəyan generatorlarıdır. Çıxış siqnalı temperaturu dəyişmə sürətindən asılı olduğundan bu cihazlar sabit xarakterli istilik sahələrinə həssaslıq göstərmir və yüksək iş sürətinə malik olur. Onlar qızdırılmış cisimlərin qeyri-koherent şüalanmasının orta gücünü ölçmək üçün, infraqırmızı şüalanmanın orta sahəsində kosmik tədqiqatlar üçün, lazer şüalanmasının orta, pik gücünü, enerjisini və başqa parametrlərini ölçmək üçün istifadə edilir.
Radiasiyalı termoelementlər istilikdən və ya şüalanmadan termo e.h.q. yaradan iki qeyri-həmcins keçiricinin birləşməsindən ibarətdir. Onlar istilik gərginlik generatorla- rıdırlar. Bunlara avtomatikada temperatur, infraqırmızı və başqa şüalanma gücünün vericisi kimi istifadə olunan termocütlər aiddir.
Bolometrlər istiliyə həssas rezistorlardır. Onların işi işıq selinin udulması nəticəsində müqavimətin dəyişməsinə əsaslanır. Onları elektrik dövrəsinə qoşmaqla udulan şüanın parametrlərini dəyişib gərginliyi (cərəyanı) modulyasiya edirlər.
Foton şüaqəbuledicisində işıq selinin fotonları bilavasitə qəbuledicinin həssas elementinin elektronlarına təsir edərək onları həyəcanlandırır. İşıq selinin gücü vəziyyətlərini dəyişən elektronların sayma görə müəyyən edilir.
Yarımkeçirici foton qəbuledicilərinin işi daxili fotoef- fekt hadisəsinə əsaslanır. Daxili fotoeffekt nəticəsində ko- valent əlaqələrdən azad olan elektronlar maddənin içərisində də qalıb onun elektrik keçiriciliyini artırırlar və nəticədə ya- rımkeçiricidə daxili e.h.q. yaranır.
İşi daxili fotoeffekt hadisəsinə əsaslanan yarımkeçirici elementlərdən fotorezistorları, fotodiodları, fototranzistor- ları, fototutumları, fotovaristorları göstərmək olar. Bu cihazların hamısının əsas xarakteristikaları aşağıdakılardır:
1)işıq xarakteristikası - elektrodlar arasında gərginliyin və şüanın spektral tərkibinin sabit qiymətlərində fotocərə- yanm şüa selinin intensivliyindən asılılığı;
2)volt-amper xarakteristikası - şüa selinin sabit qiymətində fotocərəyanm elektrodlardakı gərginlikdən asılılığı;
3)spektral xarakteristikası - elektrodlar arasındakı gərginliyin və işıq selinin sabit qiymətlərində nisbi həssaslığın (faizlə) işıq şüasının dalğa uzunluğundan asılılığı;
4)tezlik xarakteriktikası - gərginliyin və işıq selinin sabit qiymətlərində nisbi həssaslığın (faizlə) işıq selinin intensivliyinin dəyişmə tezliyindən asılılığı;
5)temperatur xarakteristikası - fotoqəbuledici xarakteristikalarının və parametrlərinin temperaturdan asılılığı;
6)yorulma xarakteristikası - fotoqəbuledicinin həssaslığının iş müddətindən asılı dəyişməsi;
7)keçid xarakteristikası - işıq selinin vahid sıçrayışla dəyişməsinə fotoqəbuledicinin göstərdiyi reaksiya (cihazın iş sürətini xarakterizə edir).
Fotoqəbulediciləri xarakterizə edən əsas parametrlər aşağıdakılardır:
1)inteqral həssaslıq - işıq selinin vahid dəyişməsindən fotocərəyanm necə dəyişməsini göstərir;
2)spektral həssaslıq - hər hansı dalğa uzunluğuna malik işıq selinin dəyişməsindən fotocərəyanm dəyişməsini göstərir;
Elektronika- Hümbətov Ramiz
Yarımkeçirici Fotoelektron şüalandırıcı cihazlar
YARIMKEÇİRİCİ FOTOELEKTRON CİHAZLARI
İşıq şüasının enerjisini elektrik enerjisinə və tərsinə çevirən elektron cihazlarına fotoelektron fotoelektrik cihazları deyilir. İş prinsipinə görə yarımkeçirici fotoelektron cihazlarını üç qrupa bölmək olar: fotoelektron şüalandırıcıları, fotoelektron şüaqəbulediciləri, optoelektron cütləri.
Fotoelektron şüalandırıcı cihazlar
Şüalandırıcı cihazlar elektrik enerjisini müəyyən uzun- luqlu dalğaların optik şüalanma enerjisinə çevirirlər. Enerjinin belə çevrilmə mexanizmi yük daşıyıcılarının yarımkeçi- ricilərdə şüalandırıcı rekombinasiyası ilə əlaqədardır. Şüa- landırıcı cihazların işi lüminessensiya hadisəsinə istinad edir. Lüminessensiya deyəndə xarici təsirdən maddənin elektronlarının həyəcanlanması nəticəsində yaranan optik şüalanma nəzərdə tutulur. Xarici təsir mənbəyi elektrik sahəsi olanda bu hadisə elektrolüminessensiya adlanır.
İşıq saçmanın davamiyyətinə görə lüminessensiya iki növ olur: 1) flüoressensiya (işıq seli, elektron seli, rentgen şüası, elektrik sahəsi və cərəyanının təsirindən maddənin işıq şüalanması); 2) fosforessensiya (millisaniyədən bir neçə saata kimi davam edən uzun müddətli işıqsaçma).
Şüalanma prosesləri ilə əlaqədar olan enerjinin tam həyəcanlanma enerjisinə nisbətinə lüminessensiyanm effektivliyi deyilir. Temperatur artdıqca effektivlik azalır.
Lüminessensiya xassələrinə malik olan maddələrə lüminofor deyilir. Həyəcanlanma mənbəyindən asılı olaraq fotolüminoforlar, katodlüminoforları, rentgen lüminoforları, elektrik lüminoforları mövcuddur. Elektronikada əsasən elektrik lüminoforlan istifadə edilir. Bunlar elektrolüminessent çevirici- lərdə və işıq diodlarmda istifadə edilir.
Elektrolüminessent çevirici lövhələrindən birinin yaxınlığında lüminofor yerləşdirilmiş kondensatordan ibarətdir. Onun işıq saçma parlaqlığı belə təyin edilir:
. Burada U-qida mənbəyinin gərginliyi; к və b-gərginliyin tezliyindən asılı parametrlərdir.
Elektrolüminessent çeviricinin xarakteristikaları lümi- noforun materialından və konstruksiyadan asılıdır. Material rolunu ya dielektrikdə asılı şəkildə olan fosforun kiçikdis- persli tozu (tozşəkilli fosforlar), ya da vakuumda buxarlanma üsulu ilə alınmış bircins polikristal nazik qat (fosfor sub- limatı) oynayır. Birinci növ elementlər yalnız 50-300 V dəyişən gərginlikdə işləyir. Fosfor sublimat qatı çox nazik olduğundan ikinci növ cihazlar 2-2,5 V amplitudlu sabit və dəyişən gərginlikdə işləyir. İşıqsaçma fosforun və aşqarların növündən asılı olaraq spektrin dalğa uzunluğunun görünən hissəsində 0,45 mkm-dən (mavi işıq) 0,6 mkm-ə (sarı- narmcı işıq) baş verir.
Elektrolüminessent çeviricilərin iş müddəti az olur, onlar stabil işləmirlər - bir müddətdən sonra işıqlanmanm parlaqlığı azalır, onlar həm də ətalətli olurlar (yanma və sönmə vaxtı 10’3-10’4 saniyə həddində olur). Belə çeviricilər böyük gücləndirmə əmsalına malik şüalanma çeviricilərində və gücləndiricilərində, kiçik ölçülü ekranlarda və tablolarda, məntiq elementlərində və digər alçaq tezlikli dövrələrdə işlədilir.
İşıq diodu p-n keçidə malik olan və elektrik enerjisini spektrin görünən hissəsində optik şüalanmaya çevirən ya- rımkeçirici şüalandırıcı cihazdır.
Cihazın işinin əsasını elektron-deşik keçidindən injek- siya edən yükdaşıyıcılarm öz-özünə şüalandırıcı rekombina- siyası ilə əlaqədar olan elektrolüminessensiya hadisəsi təşkil edir. Şüalanma bilavasitə ifrat yükdaşıyıcılarm rekombinasiyasmdan yaranır, keçiddə və keçidə yaxın yarımkeçirici qatlarda baş verir. Təsvir edən işıq diodlarma göstərilən tələblərdən ən başlıcası şüalanmanın spektrin görünən sahəsində baş verməsidir. Burada əsas rolu zonalararası şüalandırıcı rekombinasiya oynadığından yarımkeçiricinin qadağan olunmuş zonasının eni müəyyən qiymətə malik olmalıdır. İşıq diodlarmı hazırlamaq üçün qallium fosfid (görünən işıq) və qallium arseniddən (infraqırmızı) istifadə olunur. İşıq diodu düz qoşulmuş p-n keçiddən ibarət olur (şəkil 9.1 ö). Düz istiqamətdə verilmiş gərginliyin təsirindən keçiddə potensial səddinin hündürlüyü azalır və yükdaşıyıcılarm injeksiyası başlayır: elektronlar n qatından p qatma, deşiklər isə əks istiqamətdə injeksiya edir. Alman cərəyanda elektron toplananı daha böyük olur.
Thursday, February 11, 2021
Tiristorlar
TİRİSTORLAR
İki dayanıqlı vəziyyətə - alçaq keçiricilikli və yüksək keçiricilikli vəziyyətlərə malik olan dördqatlı yarımkeçirici cihaza tiristor deyilir. Tiristorun bir vəziyyətindən digərinə keçirilməsi xarici təsir (gərginlik, cərəyan və ya işıq seli) nəticəsində həyata keçirilir. Onlar diod tiristorlarına (şəkil 8.1 a) və triod tiristorlarma (şəkil 8.1 b-ç) bölünür. Diod tiristorlarma dinistor deyilir və onlar bağlı vəziyyət dən açıq vəziyyətə anodla (A) katod (K) arasındakı gərginliyin müəyyən bir qiymətində keçir. Triod tiristorlarma tirinistor deyilir və onların vəziyyəti üçüncü - idarəedici elektrodun (İE) köməyi ilə dəyişilir. İdarəedici elektrodun köməyi ilə cihazın vəziyyətini dəyişməkdə bir və ya iki əməliyyat yerinə yetirilə bilər. Bir əməliyyatlı tiristorda (şəkil 8.1 b) idarəedici elektrodun dövrəsi ilə tiristoru yalnız açmaq olar, onu bağlamaq üçün isə anod-katod arasındakı gərginliyin işarəsini dəyişmək lazımdır. İki əməliyyatlı tiristorlarda (şəkil 8.1c) idarəedici elektrodun dövrəsi ilə tiristoru həm açmaq, həm də bağlamaq mümkündür. İşıq şüası ilə idarə olunan tiristorlara fototiristor deyilir (şəkil 8.1 ç).
Tuesday, February 2, 2021
MDY - tranzistorlar
MDY - tranzistorlar
p-n keçidli tranzistorlarda idarəedici elektrod cərəyan keçirən kanalın keçidə yaxın yerləşən qatı ilə bilavasitə təmasda olur.
Onlardan fərqli olaraq MDY-tranzistorlarda idarəedici elektrod həmin qatdan dielektrik qatı vasitəsi ilə izolə edilir. Ona görə MDY-tranzistorları izolə olunmuş idarəedici elek- trodlu tranzistorlar sırasına aid edirlər. MDY tranzistorlar silisiumdan hazırlanır, dielektrik kimi isə silisium oksidindən istifadə edilir. Bununla əlaqədar bu cihazların üçüncü adı yaranmışdır: MOY-tranzistorlar (metal, oksid, yarımkeçirici sözlərindən). Dielektrikin struktura daxil edilməsi tranzistorun giriş müqavimətini daha da artırır
UİMn<0 olanda onun sahəsi kanaldaki yükdaşıyıcıları(elektronları) itələyib kanaldan çıxarır, kanalda onların konsentrasiyası aşağı düşür və kanalın keçiriciliyi azalır. Belə gərginliklərə uyğun mənsəb xarakteristikaları UİMn=0 halına uyğun xarakteristikalardan aşağıda yerləşirlər. Tranzistorun UİMn<0 rejimində kanalda yükdaşıyıcılarm konsentrasiyası azaldığından bu rejimə kasıblaşma rejimi deyilir. UİMn>0 olduqda onun sahəsi yarımkeçiricinin p qatından elektronları kanala çəkib gətirir, onların kanaldaki konsentrasiyası və kanalın keçiriciliyi artır. Bu rejim zənginləşmə rejimi adlanır. Buna uyğun mənsəb xarakteristikaları ilkin (UiMn=0-a uyğun) əyridən yuxarıda yerləşir. Bu tranzistor üçün mənsəb-idarəedici elektrod gərginliyinin müəyyən həddi vardır ki, ondan sonra mənsəba yaxın olan mənsəb-idarəedici elektrod sahəsi deşilir. Deşilmə halına xarakteristikanın III sahəsi və Uhüdud mənsəb gərginliyi uyğun gəlir. UiMn<0 olanda UiMs gərginliyi artır və bu halda deşilmə daha kiçik UMsMn gərginliyində baş verir. Giriş xarakteristikası şəkil 7.6c də göstərilmişdir. Göründüyü kimi bu tranzistorlar həm kasıblaşma (UiMn<0), həm də zənginləşmə (UiMn>0) rejimlərində işləyə bilir. înduksiya edilmiş kanallı MDY-tranzistorlarda cərəyan keçirən kanal əvvəlcədən hazırlanmır. Burada kanal idarəedici elektroda mənbəyə nisbətən müsbət gərginlik veriləndə elektronların yarımkeçirici lövhədən axıb gəlməsi hesabına yaradılır, daha doğrusu süni induksiya edilir (şəkil 7.7 a). Elektronların belə axını sayəsində səthyanı sahədə yarımkeçiricinin elektrik keçiriciliyi artır və başqa sözlə mənbə ilə mənsəbi birləşdirən n tipli cərəyan keçirən kanal yaranır. İdarəedici elektroda verilən müsbət gərginlik artdıqca kanalın keçiriciliyi artır. Beləliklə, bu tranzistor yalnız zənginləşmə rejimində işləyir. Mənsəb xarakteristikaları (şəkil 7.7b) forma və xarakterləri ilə əvvəlkilərə bənzəyir. Fərq ondadır ki, tranzistor polyarlığı UMSMn ilə eyni olan idarəedici elektrod gərginliyi ilə idarə olunur. Burada UiMn=0 olanda JMs=0 olur, halbuki qurma kanallı MDY-tranzistorda bunun üçün idarəedici elektrodun gərginliyinin işarəsini dəyişmə tələb olunur. Giriş xarakteristikası şəkil 7.7 c də göstərilmişdir. MDY-tranzistorlarm ekvivalent sxemi p-n keçidli sahə təsirli tranzistorun əvəz sxemi ilə eynidir. MDY-tranzistorlarin da üç qoşulma sxemləri mövcuddur: ümumi mənsəb, ümumi idarəedici və ümumi mənbə ilə qoşulma sxemləri.
p-n keçidli unipolyar tranzistorlar
p-n keçidli unipolyar tranzistorlar
Bu tranzistorun modelindən görünür ki, (şəkil 7.1 a) içərisindən cərəyan axan kanal iki p-n keçidi arasında yerləşmiş n tipli yarımkeçirici qatdan ibarətdir. Kanal cihazın xarici elektrodları ilə məftillə birləşdirilir. Yükdaşıyıcılarm (bu halda elektronların) hərəkətə başladığı elektroda mənbə (Mn), yükdaşıyıcılarm gəlib çatdığı elektroda isə mənsəb (Ms) deyilir, p tipli yarımkeçirici qatlar n qatma nisbətən daha yüksək aşqar konsentrasiyasma malikdir. Hər iki p qatı biri-biri ilə birləşib bir xarici elektroda malik olur və buna idarəedici elektrod (İE) deyilir. Tranzistorun idarəedici xüsusiyyəti ondan ibarətdir ki, U(iM) dəyişdikcə yükdaşıyıcıları tükənmiş yarımkeçirici qatdan ibarət hər iki p-n keçidin eni dəyişir, p qatında aşqarın konsentrasiyası daha yüksək olduğundan p-n keçidin eninin dəyişməsi əsasən daha böyük müqavimətli qat hesabına baş verir (Erli effekti). Bunun nəticəsində cərəyan keçirən kanalın en kəsiyi, onun keçiriciliyi və tranzistorun çıxış cərəyanı J(Ms) dəyişir.
UNİPOLYAR TRANZİSTORLAR
UNİPOLYAR TRANZİSTORLAR
İş prinsipi yalnız bir işarəli yükdaşıyıcılarm (elektronların və ya deşiklərin) istifadə olunmasına əsaslanan tranzistorlara unipolyar tranzistorlar deyilir. Bu tranzistorlarda cərəyan həmin cərəyanın axdığı kanalın keçiriciliyinin elektrik sahəsi vasitəsi ilə dəyişdirilməsi yolu ilə idarə olunur. Məhz buna görə bu tranzistorları həm də sahə təsirli tranzistorlar adlandırırlar.
Bipolyar tranzistorlara nisbətən bu cihazların hazırlanma texnologiyası daha mükəmməldir, ayrı-ayrı nüsxələrinin parametrləri biri-birinə daha yaxın olur və dəyəri də kiçikdir. Bu tranzistorlar yüksək giriş müqavimətinə malik olurlar.
Cərəyan keçirən kanalın yaradılması üsuluna görə bu tranzistorlar 3 qrupa bölünür: 1) p-n keçidli; 2) qurama kanallı; 3) induksiya edilmiş kanallı tranzistorlar.
2-ci və 3-cü qrup tranzistorlara MDY-tranzistorlar (metal, dielektrik və yarımkeçirici sözlərinin ilk hərflərindən) deyilir.